[发明专利]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201710757159.1 | 申请日： | 2017-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109427869B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 吕信江 | 申请（专利权）人： | 南京芯舟科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 佛山市禾才知识产权代理有限公司 44379 | 代理人： | 朱培祺 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市浦口区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括至少一个元胞，且任意一个元胞的结构包括：N型基底；在N型基底的一侧包含至少一个第一槽单元和至少一个第二槽单元；在N型基底的另一侧包含至少一个P型半导体区，P型半导体区称为阳极区；至少一个N型载流子势垒区；至少一个P型电场屏蔽区。本发明的目的在于提出一种半导体器件，该半导体器件具有新型的元胞结构，以获得：大的安全工作区；抗短路能力；消除寄生晶闸管的作用；低栅‑集电极电荷(QGC)以获得最大的抗dv/dt能力；增加发射极侧电导调制，以获得较大的电流密度和极低的导通压降；较小的关断损耗；较低的工艺复杂性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于：包括至少一个元胞，且任意一个元胞的结构包括：N型基底；在所述N型基底的一侧包含至少一个第一槽单元和至少一个第二槽单元；在所述N型基底的另一侧包含至少一个P型半导体区，所述P型半导体区称为阳极区；至少一个N型载流子势垒区，所述N型载流子势垒区的掺杂浓度高于所述N型基底的掺杂浓度；至少一个P型电场屏蔽区；所述N型载流子势垒区有与所述第一槽单元直接接触的面，所述N型载流子势垒区还设有与所述第二槽单元直接接触的面，所述P型电场屏蔽区设有与所述第二槽单元直接接触的面；在所述第一槽单元内设有栅极区，所述栅极区与半导体材料之间有第一介质相隔离，在所述第二槽单元内设有阴极区，所述阴极区与半导体材料之间设有第二介质相隔离；所述半导体器件至少包括一个第一电极和一个第二电极；所述P型半导体区设有与所述第一电极直接接触的面；所述阴极区与所述第二电极相连接；至少设有一个所述栅极区与所述第二电极之间有第三介质相隔离，所述栅极区称为半导体器件的第三电极。
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