[发明专利]一种低温漂的电源电压产生电路

摘要

一种低温漂的电源电压产生电路，属于模拟集成电路设计领域。本发明将基准电压VREF作为第一三极管Q1的基极输入，在第一三极管Q1的发射极上利用电阻压降和BE结电压之和等效输入的基准电压V_REF，通过第一三极管Q1和第一电阻R1与第七三极管Q7和第二电阻R2进行电平位移得到两倍的近似零温漂的基准电压2V_REF作为电源电压输出；通过第二三极管Q2、第八三极管Q8、第九三极管Q9、第十二三极管Q12、第十三三极管Q13和第十四三极管Q14形成的两级互补共集电路结构增大了电源电压的负载能力，且占用芯片面积小，降低了生产成本。

主权项

1.一种低温漂的电源电压产生电路，其特征在于，包括第一三极管(Q1)、第二三极管(Q2)、第三三极管(Q3)、第四三极管(Q4)、第五三极管(Q5)、第六三极管(Q6)、第七三极管(Q7)、第八三极管(Q8)、第九三极管(Q9)、第十三极管(Q10)、第十一三极管(Q11)、第十二三极管(Q12)、第十三三极管(Q13)、第十四三极管(Q14)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)和负载电流源(ILOAD)，其中所述第三三极管(Q3)和第四三极管(Q4)构成电流镜结构，镜像比为1:1；所述电源电压产生电路的输入端连接偏置电压；第一三极管(Q1)和第二三极管(Q2)的基极连接基准电压(VREF)，第一三极管(Q1)的集电极连接第三三极管(Q3)的集电极和第六三极管(Q6)的基极，其发射极通过第一电阻(R1)后接地；第四三极管(Q4)的基极连接第三三极管(Q3)和第五三极管(Q5)的基极以及第六三极管(Q6)的发射极，其集电极连接第七三极管(Q7)的基极和集电极以及第八三极管(Q8)和第九三极管(Q9)的基极；第二电阻(R2)接在第二三极管(Q2)的发射极和第七三极管(Q7)的发射极之间；第三电阻(R3)接在第三三极管(Q3)的发射极和输入端之间；第四电阻(R4)接在第四三极管(Q4)的发射极和输入端之间；第五电阻(R5)接在第五三极管(Q5)的发射极和输入端之间；第十一三极管(Q11)的基极连接第十三极管(Q10)的基极和集电极以及第八三极管(Q8)的集电极，其集电极连接第九三极管(Q9)的发射极和第十四三极管(Q14)的基极，第九三极管(Q9)的集电极接输入端；第十二三极管(Q12)的基极连接第五三极管(Q5)的集电极和第八三极管(Q8)的发射极，其集电极连接输入端，其发射极连接第十三三极管(Q13)的基极和第十四三极管(Q14)的发射极；第十三三极管(Q13)的集电极连接输入端，其发射极作为所述电源电压产生电路的输出端输出所述电源电压并通过负载电流源(ILOAD)后接地；第二三极管(Q2)、第六三极管(Q6)和第十四三极管(Q14)的集电极接地，第十三极管(Q10)和第十一三极管(Q11)的发射极接地；所述第一电阻(R1)和第二电阻(R2)的阻值相等；所述第一三极管(Q1)、第七三极管(Q7)、第九三极管(Q9)、第十三极管(Q10)、第十一三极管(Q11)、第十二三极管(Q12)和第十三三极管(Q13)为NPN型三极管，第二三极管(Q2)、第三三极管(Q3)、第四三极管(Q4)、第五三极管(Q5)、第六三极管(Q6)、第八三极管(Q8)和第十四三极管(Q14)为PNP型三极管。