[发明专利]一种低温漂的电源电压产生电路

说明书

一种低温漂的电源电压产生电路，属于模拟集成电路设计领域。本发明将基准电压VREF作为第一三极管Q1的基极输入，在第一三极管Q1的发射极上利用电阻压降和BE结电压之和等效输入的基准电压V_REF，通过第一三极管Q1和第一电阻R1与第七三极管Q7和第二电阻R2进行电平位移得到两倍的近似零温漂的基准电压2V_REF作为电源电压输出；通过第二三极管Q2、第八三极管Q8、第九三极管Q9、第十二三极管Q12、第十三三极管Q13和第十四三极管Q14形成的两级互补共集电路结构增大了电源电压的负载能力，且占用芯片面积小，降低了生产成本。

技术领域

本发明属于模拟集成电路设计领域，具体涉及一种电源电压产生电路。

背景技术

半导体器件特性如双极晶体管的BE结电压，受温度影响很大，当温度升高时，BE结电压减小。为了提高电路节点的带载能力，通常需要采用缓冲器。而结构最为简单的缓冲器方案是利用共集结构提升电路节点带载能力。为了消除共集电路带来的BE结电压差问题，目前采用两级互补共集电路实现输出缓冲，即电路中某个结点电压会分别加减BE结电压之后，再向外部供电。但由于BE结电压存在的偏差，导致这样得到的电压会具有BE结电压对温度的依赖性，当温度变化时，该电压也会发生改变。温度系数用于度量在温度变化下电路维持预定输出电压的能力，温度系数越小，在相同的温度变化下，电压的变化量越小。当温度变化时，低温度系数的电源电压为电路提供稳定的偏置。

另外一种电源电压产生方式为LDO模块。虽然其输出稳定，精度高，但是结构复杂，需要考虑环路稳定性的问题，并且功率管占据的芯片面积很大。

发明内容

针对上述不足之处，本发明提供一种低温漂的电源电压产生电路，将基准电压的低温度、工艺依赖性转移到特定电源轨来获得稳定的内建电源。

本发明的技术方案是：

一种低温漂的电源电压产生电路，包括第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第五三极管Q5、第六三极管Q6、第七三极管Q7、第八三极管Q8、第九三极管Q9、第十三极管Q10、第十一三极管Q11、第十二三极管Q12、第十三三极管Q13、第十四三极管Q14、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5和负载电流源I_LOAD，

其中所述第三三极管Q3和第四三极管Q4构成电流镜结构，镜像比为1:1；

所述电源电压产生电路的输入端连接偏置电压；

第一三极管Q1和第二三极管Q2的基极连接基准电压V_REF，第一三极管Q1的集电极连接第三三极管Q3的集电极和第六三极管Q6的基极，其发射极通过第一电阻R1后接地；

第四三极管Q4的基极连接第三三极管Q3和第五三极管Q5的基极以及第六三极管Q6的发射极，其集电极连接第七三极管Q7的基极和集电极以及第八三极管Q8和第九三极管Q9的基极；

第二电阻R2接在第二三极管Q2的发射极和第七三极管Q7的发射极之间；

第三电阻R3接在第三三极管Q3的发射极和输入端之间；

第四电阻R4接在第四三极管Q4的发射极和输入端之间；

第五电阻R5接在第五三极管Q5的发射极和输入端之间；

第十一三极管Q11的基极连接第十三极管Q10的基极和集电极以及第八三极管Q8的集电极，其集电极连接第九三极管Q9的发射极和第十四三极管Q14的基极，第九三极管Q9的集电极接输入端；

第十二三极管Q12的基极连接第五三极管Q5的集电极和第八三极管Q8的发射极，其集电极连接输入端，其发射极连接第十三三极管Q13的基极和第十四三极管Q14的发射极；