[发明专利]一种横向双扩散MOS器件有效
| 申请号： | 201710726660.1 | 申请日： | 2017-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN107564965B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 任敏;林育赐;谢驰;李佳驹;李泽宏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种横向双扩散MOS器件，包括第一导电类型半导体衬底、第一导电类型半导体体区、第二导电类型半导体漂移区、第二导电类型半导体源区、高掺杂第一导电类型半导体体接触区、栅极结构，栅极结构包括多晶硅栅电极和栅氧化层，第二导电类型半导体漂移区内部上表面还具有至少两个多晶硅岛，多晶硅岛存储着均匀分布的电荷；从第一导电类型半导体体区到第二导电类型半导体漏极区的方向，多晶硅岛的底部到第一导电类型半导体衬底的距离依次增加；本发明在漂移区设置了多个不同深度的存储电荷的多晶硅岛，通过改变电荷量和所需要耗尽的漂移区宽度，使漂移区的电场分布更均匀，提高器件的反向阻断电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 扩散 mos 器件 | ||
【主权项】：
一种横向双扩散MOS器件，包括第一导电类型半导体衬底(201)和设置在第一导电类型半导体衬底(201)上表面的第一导电类型半导体体区(203)和第二导电类型半导体漂移区(202)，第一导电类型半导体体区(203)和第二导电类型半导体漂移区(202)侧面接触；所述第一导电类型半导体体区(203)内部上表面具有第二导电类型半导体源区(205)和高掺杂第一导电类型半导体体接触区(204)；所述第二导电类型半导体源区(205)和高掺杂第一导电类型半导体体接触区(204)与位于其上表面的金属源极(207)直接接触；所述第一导电类型半导体体区(203)的上表面具有栅极结构，所述栅极结构包括多晶硅栅电极(209)和栅氧化层(210)，所述多晶硅栅电极(209)与第二导电类型半导体源区(205)、第一导电类型半导体体区(203)和第一导电类型半导体漂移区(202)通过栅氧化层(210)相隔离；所述多晶硅栅电极(209)与金属源极(207)通过第一介质层(211)相互隔离；所述第二导电类型半导体漂移区(202)内部上表面远离第一导电类型半导体体区(203)的一侧具有第二导电类型半导体漏极区(206)，所述第二导电类型半导体漏极区(206)与位于其上表面的金属漏极(208)直接接触；其特征在于：所述第二导电类型半导体漂移区(202)内部上表面还具有至少两个多晶硅岛(212)，所述多晶硅岛(212)顶部与第一介质层(211)相接触，所述多晶硅岛(212)位于第一导电类型半导体体区(203)和第二导电类型半导体漏极区(206)之间且与第一导电类型半导体体区(203)和第二导电类型半导体漏极区(206)均不接触；所述多晶硅岛(212)与第二导电类型半导体漂移区(202)之间以及相邻多晶硅岛之间通过第二介质层(213)相隔离；所述多晶硅岛(212)存储着均匀分布的电荷；从第一导电类型半导体体区(203)到第二导电类型半导体漏极区(206)的方向，所述多晶硅岛(212)的底部到第一导电类型半导体衬底(201)的距离依次增加。
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