[发明专利]多源融合功率变换拓扑电路及其变换拓扑方法在审

专利信息
申请号: 201710719704.8 申请日: 2017-08-21
公开(公告)号: CN107579650A 公开(公告)日: 2018-01-12
发明(设计)人: 靳洋;刘世超;刘绘莹;李阳;董宝磊;朱春晓;何小斌 申请(专利权)人: 上海空间电源研究所
主分类号: H02M1/10 分类号: H02M1/10;H02M7/219;H02M3/155
代理公司: 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 代理人: 朱成之
地址: 200245 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种多源融合功率变换拓扑电路及其变换拓扑方法,当输入为交流电源,将第一转换开关S1连接至交流源VAC,将第二转换开关S2连接至第二MOS管Q2的漏极,第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3和第四MOS管Q4组成半桥同步整流电路;当输入为直流电源,将第一转换开关S1连接至直流源VDC,将第二转换开关S2连接至第一储能电感L1的输入端,第三MOS管Q3、第四MOS管Q4、第一功率二极管D5和第二功率二极管D6组成交错并联Boost电路。本发明集成交流变换和直流变换功能,基于交错并联Boost拓扑电路,通过对开关管Q3和开关管Q4的功能复用,与开关管Q1和开关管Q2共同实现半桥同步整流,既满足以核电源为代表的交流源功率变换需求,又适用于以太阳电池为代表的直流能源系统。
搜索关键词: 融合 功率 变换 拓扑 电路 及其 方法
【主权项】:
一种多源融合功率变换拓扑电路,其特征在于,该电路的输入端同时连接交流源VAC和直流源VDC,该电路的输出端连接负载Ro,该电路包含:第一转换开关S1和第二转换开关S2;第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3和第四MOS管Q4;第一MOS管寄生二极管D1、第二MOS管寄生二极管D2、第三MOS管寄生二极管D3和第四MOS管寄生二极管D4;第一储能电感L1和第二储能电感L2;第一功率二极管D5和第二功率二极管D6;输出电容Co;负载Ro;所述的第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3和第四MOS管Q4的源极都连接负载Ro,第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3和第四MOS管Q4的栅极分别连接控制电路;所述的第一转换开关S1的两个静触头分别连接交流源VAC的正极端和直流源VDC的正极端,第一转换开关S1的动触片连接第一储能电感L1的输入端和第一MOS管寄生二极管D1的漏极;交流源VAC的负极端和直流源VDC的负极端连接第二MOS管Q2的漏极;所述的第二转换开关S2的两个静触头分别连接第一储能电感L1的输入端和第二MOS管Q2的漏极,第二转换开关S2的动触片连接第二储能电感L2的输入端;所述的第一功率二极管D5的阳极连接第一储能电感L1的输出端和第四MOS管Q4的漏极,第一功率二极管D5的阴极连接输出电容Co的正极端和负载Ro;所述的第二功率二极管D6的阳极连接第二储能电感L2的输出端和第三MOS管Q3的漏极,第二功率二极管D6的阴极连接输出电容Co的正极端;所述的输出电容Co并联在负载Ro两端;所述的第一MOS管寄生二极管D1的阳极连接第一MOS管Q1的源极,第一MOS管寄生二极管D1的阴极连接第一MOS管Q1的漏极;所述的第二MOS管寄生二极管D2的阳极连接第二MOS管Q2的源极,第二MOS管寄生二极管D2的阴极连接第二MOS管Q2的漏极;所述的第三MOS管寄生二极管D3的阳极连接第三MOS管Q3的源极,第三MOS管寄生二极管D3的阴极连接第三MOS管Q3的漏极;所述的第四MOS管寄生二极管D4的阳极连接第四MOS管Q4的源极,第四MOS管寄生二极管D4的阴极连接第四MOS管Q4的源极。
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