[发明专利]多源融合功率变换拓扑电路及其变换拓扑方法在审

专利信息
申请号: 201710719704.8 申请日: 2017-08-21
公开(公告)号: CN107579650A 公开(公告)日: 2018-01-12
发明(设计)人: 靳洋;刘世超;刘绘莹;李阳;董宝磊;朱春晓;何小斌 申请(专利权)人: 上海空间电源研究所
主分类号: H02M1/10 分类号: H02M1/10;H02M7/219;H02M3/155
代理公司: 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 代理人: 朱成之
地址: 200245 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 融合 功率 变换 拓扑 电路 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种多源融合功率变换拓扑电路,其特征在于,该电路的输入端同时连接交流源VAC和直流源VDC,该电路的输出端连接负载Ro,该电路包含:

第一转换开关S1和第二转换开关S2;

第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3和第四MOS管Q4;

第一MOS管寄生二极管D1、第二MOS管寄生二极管D2、第三MOS管寄生二极管D3和第四MOS管寄生二极管D4;

第一储能电感L1和第二储能电感L2;

第一功率二极管D5和第二功率二极管D6;

输出电容Co;

负载Ro;

所述的第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3和第四MOS管Q4的源极都连接负载Ro,第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3和第四MOS管Q4的栅极分别连接控制电路;

所述的第一转换开关S1的两个静触头分别连接交流源VAC的正极端和直流源VDC的正极端,第一转换开关S1的动触片连接第一储能电感L1的输入端和第一MOS管寄生二极管D1的漏极;交流源VAC的负极端和直流源VDC的负极端连接第二MOS管Q2的漏极;

所述的第二转换开关S2的两个静触头分别连接第一储能电感L1的输入端和第二MOS管Q2的漏极,第二转换开关S2的动触片连接第二储能电感L2的输入端;

所述的第一功率二极管D5的阳极连接第一储能电感L1的输出端和第四MOS管Q4的漏极,第一功率二极管D5的阴极连接输出电容Co的正极端和负载Ro;

所述的第二功率二极管D6的阳极连接第二储能电感L2的输出端和第三MOS管Q3的漏极,第二功率二极管D6的阴极连接输出电容Co的正极端;

所述的输出电容Co并联在负载Ro两端;

所述的第一MOS管寄生二极管D1的阳极连接第一MOS管Q1的源极,第一MOS管寄生二极管D1的阴极连接第一MOS管Q1的漏极;所述的第二MOS管寄生二极管D2的阳极连接第二MOS管Q2的源极,第二MOS管寄生二极管D2的阴极连接第二MOS管Q2的漏极;所述的第三MOS管寄生二极管D3的阳极连接第三MOS管Q3的源极,第三MOS管寄生二极管D3的阴极连接第三MOS管Q3的漏极;所述的第四MOS管寄生二极管D4的阳极连接第四MOS管Q4的源极,第四MOS管寄生二极管D4的阴极连接第四MOS管Q4的源极。

2.一种如权利要求1所述的多源融合功率变换拓扑电路的多源融合功率变换拓扑方法,其特征在于,包含以下步骤:

当输入为交流电源,将第一转换开关S1连接至交流源VAC,将第二转换开关S2连接至第二MOS管Q2的漏极,第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3和第四MOS管Q4组成半桥同步整流电路;

当输入为直流电源,将第一转换开关S1连接至直流源VDC,将第二转换开关S2连接至第一储能电感L1的输入端,第一MOS管Q1不工作,控制电路控制第二MOS管Q2处于持续导通状态,第三MOS管Q3、第四MOS管Q4、第一功率二极管D5和第二功率二极管D6组成交错并联Boost电路。

3.如权利要求2所述的多源融合功率变换拓扑方法,其特征在于,当输入为交流电源时,当所述的半桥同步整流电路工作于正半周时,控制电路控制第二MOS管Q2和第四MOS管Q4导通,第一储能电感L1充电,第二MOS管寄生二极管D2导通,输出电容Co放电向负载Ro提供能量;半桥同步整流电路工作于正半周时,控制电路控制第二MOS管Q2导通,控制电路控制第四MOS管Q4关断,第一储能电感L1通过第一功率二极管D5向负载Ro供电,同时为输出电容Co充电;半桥同步整流电路工作于负半周时,控制电路控制第一MOS管Q1和第三MOS管Q3导通,第二储能电感L2充电,第一MOS管寄生二极管D1导通,输出电容Co放电向负载Ro提供能量;半桥同步整流电路工作于正半周时,控制电路控制第一MOS管Q1导通,控制电路控制第三MOS管Q3关断,第二储能电感L2通过第二功率二极管D6向负载Ro供电,同时为输出电容Co充电。

4.如权利要求2所述的多源融合功率变换拓扑方法,其特征在于,当输入为直流电源时,当控制电路控制第三MOS管Q3导通,控制电路控制第四MOS管Q4关断,第一功率二极管D5导通,第二功率二极管D6截止;当控制电路控制第三MOS管Q3导通,控制电路控制第四MOS管Q4导通,第一功率二极管D5和第二功率二极管D6都截止,第一储能电感L1和第二储能电感L2充电,输出电容Co放电向负载Ro提供能量;当控制电路控制第三MOS管Q3关断,控制电路控制第四MOS管Q4导通,第一功率二极管D5截止,第二功率二极管D6导通,第一储能电感L1充电,第二储能电感L2通过第二功率二极管D6向输出电容Co充电并为负Ro载供电;当控制电路控制第三MOS管Q3关断,控制电路控制第四MOS管Q4关断,第一功率二极管D5和第二功率二极管D6都导通,第一储能电感L1通过第一功率二极管D5向输出电容Co充电并为负载Ro供电,第二储能电感L2通过第二功率二极管D6向输出电容Co充电并为负Ro载供电。

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