[发明专利]多源融合功率变换拓扑电路及其变换拓扑方法在审
| 申请号: | 201710719704.8 | 申请日: | 2017-08-21 |
| 公开(公告)号: | CN107579650A | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
| 发明(设计)人: | 靳洋;刘世超;刘绘莹;李阳;董宝磊;朱春晓;何小斌 | 申请(专利权)人: | 上海空间电源研究所 |
| 主分类号: | H02M1/10 | 分类号: | H02M1/10;H02M7/219;H02M3/155 |
| 代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 | 代理人: | 朱成之 |
| 地址: | 200245 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 融合 功率 变换 拓扑 电路 及其 方法 | ||
1.一种多源融合功率变换拓扑电路,其特征在于,该电路的输入端同时连接交流源VAC和直流源VDC,该电路的输出端连接负载Ro,该电路包含:
第一转换开关S1和第二转换开关S2;
第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3和第四MOS管Q4;
第一MOS管寄生二极管D1、第二MOS管寄生二极管D2、第三MOS管寄生二极管D3和第四MOS管寄生二极管D4;
第一储能电感L1和第二储能电感L2;
第一功率二极管D5和第二功率二极管D6;
输出电容Co;
负载Ro;
所述的第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3和第四MOS管Q4的源极都连接负载Ro,第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3和第四MOS管Q4的栅极分别连接控制电路;
所述的第一转换开关S1的两个静触头分别连接交流源VAC的正极端和直流源VDC的正极端,第一转换开关S1的动触片连接第一储能电感L1的输入端和第一MOS管寄生二极管D1的漏极;交流源VAC的负极端和直流源VDC的负极端连接第二MOS管Q2的漏极;
所述的第二转换开关S2的两个静触头分别连接第一储能电感L1的输入端和第二MOS管Q2的漏极,第二转换开关S2的动触片连接第二储能电感L2的输入端;
所述的第一功率二极管D5的阳极连接第一储能电感L1的输出端和第四MOS管Q4的漏极,第一功率二极管D5的阴极连接输出电容Co的正极端和负载Ro;
所述的第二功率二极管D6的阳极连接第二储能电感L2的输出端和第三MOS管Q3的漏极,第二功率二极管D6的阴极连接输出电容Co的正极端;
所述的输出电容Co并联在负载Ro两端;
所述的第一MOS管寄生二极管D1的阳极连接第一MOS管Q1的源极,第一MOS管寄生二极管D1的阴极连接第一MOS管Q1的漏极;所述的第二MOS管寄生二极管D2的阳极连接第二MOS管Q2的源极,第二MOS管寄生二极管D2的阴极连接第二MOS管Q2的漏极;所述的第三MOS管寄生二极管D3的阳极连接第三MOS管Q3的源极,第三MOS管寄生二极管D3的阴极连接第三MOS管Q3的漏极;所述的第四MOS管寄生二极管D4的阳极连接第四MOS管Q4的源极,第四MOS管寄生二极管D4的阴极连接第四MOS管Q4的源极。
2.一种如权利要求1所述的多源融合功率变换拓扑电路的多源融合功率变换拓扑方法,其特征在于,包含以下步骤:
当输入为交流电源,将第一转换开关S1连接至交流源VAC,将第二转换开关S2连接至第二MOS管Q2的漏极,第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3和第四MOS管Q4组成半桥同步整流电路;
当输入为直流电源,将第一转换开关S1连接至直流源VDC,将第二转换开关S2连接至第一储能电感L1的输入端,第一MOS管Q1不工作,控制电路控制第二MOS管Q2处于持续导通状态,第三MOS管Q3、第四MOS管Q4、第一功率二极管D5和第二功率二极管D6组成交错并联Boost电路。
3.如权利要求2所述的多源融合功率变换拓扑方法,其特征在于,当输入为交流电源时,当所述的半桥同步整流电路工作于正半周时,控制电路控制第二MOS管Q2和第四MOS管Q4导通,第一储能电感L1充电,第二MOS管寄生二极管D2导通,输出电容Co放电向负载Ro提供能量;半桥同步整流电路工作于正半周时,控制电路控制第二MOS管Q2导通,控制电路控制第四MOS管Q4关断,第一储能电感L1通过第一功率二极管D5向负载Ro供电,同时为输出电容Co充电;半桥同步整流电路工作于负半周时,控制电路控制第一MOS管Q1和第三MOS管Q3导通,第二储能电感L2充电,第一MOS管寄生二极管D1导通,输出电容Co放电向负载Ro提供能量;半桥同步整流电路工作于正半周时,控制电路控制第一MOS管Q1导通,控制电路控制第三MOS管Q3关断,第二储能电感L2通过第二功率二极管D6向负载Ro供电,同时为输出电容Co充电。
4.如权利要求2所述的多源融合功率变换拓扑方法,其特征在于,当输入为直流电源时,当控制电路控制第三MOS管Q3导通,控制电路控制第四MOS管Q4关断,第一功率二极管D5导通,第二功率二极管D6截止;当控制电路控制第三MOS管Q3导通,控制电路控制第四MOS管Q4导通,第一功率二极管D5和第二功率二极管D6都截止,第一储能电感L1和第二储能电感L2充电,输出电容Co放电向负载Ro提供能量;当控制电路控制第三MOS管Q3关断,控制电路控制第四MOS管Q4导通,第一功率二极管D5截止,第二功率二极管D6导通,第一储能电感L1充电,第二储能电感L2通过第二功率二极管D6向输出电容Co充电并为负Ro载供电;当控制电路控制第三MOS管Q3关断,控制电路控制第四MOS管Q4关断,第一功率二极管D5和第二功率二极管D6都导通,第一储能电感L1通过第一功率二极管D5向输出电容Co充电并为负载Ro供电,第二储能电感L2通过第二功率二极管D6向输出电容Co充电并为负Ro载供电。
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H02M1-00 变换装置的零部件
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H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置





