[发明专利]一种基于自限制形核生长的大尺寸高质量石墨烯制备方法有效
| 申请号： | 201710712230.4 | 申请日： | 2017-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN107522191B | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 张安平;赵炎;杨明超;陈家玉;魏葳;张晓东;田占元 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学;陕西煤业化工技术研究院有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186;C25D3/12;C23C14/16 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 段俊涛 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于自限制形核生长的大尺寸高质量石墨烯制备方法，具体包括制备覆盖镍的铜衬底，在真空的保护气氛中快速升温，到达特定的生长温度后，通入工艺气体进行石墨烯生长。生长初期金属表面为镍，可以有效控制石墨烯的形核点。生长过程中，铜逐步扩散至镍层形成富镍的铜镍合金，可以促进形核点快速生长。随着表面层中铜组份的不断增加，可有效单层石墨烯的大尺寸单晶形成，同时保持单晶的快速生长，实现大尺寸高质量的连续石墨烯薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 限制 生长 尺寸 质量 石墨 制备 方法 | ||
【主权项】：
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