[发明专利]一种星用二硫化钼基复合润滑膜的制备方法

摘要

本发明提供一种星用二硫化钼基复合润滑膜的制备方法，采用闭合场非平衡磁控溅射MoS₂靶、Ti靶和稀土氟化物靶，在工作气体Ar的作用下，通过控制MoS₂靶和Ti靶的电流以及稀土氟化物靶的功率，来制备二硫化钼基复合薄膜。该薄膜不仅结构致密，减摩性能优异，而且显著改善了传统MoS₂基薄膜的耐磨性，寿命提高数倍。

主权项

1.一种星用二硫化钼基复合润滑膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、靶材制备：分别在镀膜设备的两个直流靶位上装入Ti靶和MoS₂靶，在一个射频靶位上装入稀土氟化物靶，对Ti靶、MoS₂靶和稀土氟化物靶分别进行表面打磨，去除氧化皮至露出新鲜表皮；S2、样品准备：对样品进行打磨、抛光、消磁、清洗后吹干，装入镀膜设备；采用600#、1200#砂纸依次打磨；在抛光机上用标号2.5μm的金刚石研磨膏对样品进行抛光处理；样品清洗的方法为：在丙酮和无水乙醇中分别超声清洗10～15min；S3、基体预处理：将镀膜腔室抽至3.0×10^‑4～3.0×10^‑5Pa，导入工作气体Ar，控制流量20～50sccm，基体偏压设置为100～200V，维持15～20min，让Ar等离子体轰击靶材，实现基体表面的清洗与活化；S4、镀打底层：Ti靶电流线性增强至3～5A，其他靶材关闭，溅射时间50～60min；S5、镀过渡层：Ti靶电流线性下降至0.25～0.5A，MoS₂靶电流线性增强至1～2A，溅射时间50～60min；S6、镀功能层：维持步骤S5中Ti靶电流和MoS₂靶的电流，开启稀土氟化物靶，功率控制在50～200w，溅射时间350～400min。