[发明专利]一种偏置电流产生电路

摘要

本发明公开了一种偏置电流产生电路，此偏置电流产生电路由两个分支电流产生电路叠加而成，其中第一个分支电流产生电路是正温度系数电流产生电路，另一个分支电流产生电路是负温度系数电流产生电路。在所述的正温度系数电流产生单元中，引出一个控制电压到所述负温度系数电流产生单元，用于产生负温度系数电流，然后将所述的正温度系数电流和负温度系数电流叠加输出。在所述的负温度系数电流产生单元中，引出一个控制电压到正温度系数电流产生单元，用于稳定控制环路，降低了输出电流受温度的影响。与现有技术相比，本发明省去了三极管电路，省去了带隙基准电路，省去了复杂的放大器电路，降低了电路面积和功耗，同时提高了电路的整体性能。

主权项

1.一种偏置电流产生电路，其特征在于：包括正温度系数电流产生单元、负温度系数电流产生单元；其中所述正温度系数电流产生单元和负温度系数电流产生单元相连接；其中所述正温度系数电流产生单元包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管；其中所述第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管的源极分别与电源电压连接，其中所述第三PMOS管的漏极和栅极相互连接，所述第三PMOS管的栅极与第四PMOS管的栅极相连，所述第四PMOS管的栅极与第五PMOS管的栅极相连，且所述第五PMOS管的漏极与电路输出端相连；其中所述第一NMOS管的漏极与第三PMOS管的漏极连接，所述第一NMOS管的源极通过第一电阻与地相接，所述第一NMOS管的栅极与第二NMOS管的栅极连接；所述第二NMOS管的源极与地相接，所述第二NMOS管的漏极与第四PMOS管的漏极相接，其中所述第二NMOS管的漏极和栅极分别与负温度系数电流产生单元相接；所述负温度系数电流产生单元，包括第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九NMOS管、第三电阻；其中所述第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管的源极分别与电源电压连接，第六PMOS管的漏极和栅极相互连接，第六PMOS管的栅极和第七PMOS管的栅极相接，第七PMOS管的栅极与第八PMOS管的栅极相连，且所述第八PMOS管的漏极与电路输出端连接；其中所述第七PMOS管的漏极通过第三电阻与地相接，所述第七PMOS管的漏极与第一NMOS管的栅极连接；其中所述第九NMOS管的漏极与第六PMOS管的漏极连接，所述第九NMOS管的源极与地相接，所述第九NMOS管的栅极与第二NMOS管的漏极相接，所述第二NMOS管的栅极与第七PMOS管的漏极连接。