[发明专利]一种偏置电流产生电路

权利要求书

1.一种偏置电流产生电路，其特征在于：包括正温度系数电流产生单元、负温度系数电流产生单元；其中所述正温度系数电流产生单元和负温度系数电流产生单元相连接；其中所述正温度系数电流产生单元包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管；其中所述第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管的源极分别与电源电压连接，其中所述第三PMOS管的漏极和栅极相互连接，所述第三PMOS管的栅极与第四PMOS管的栅极相连，所述第四PMOS管的栅极与第五PMOS管的栅极相连，且所述第五PMOS管的漏极与电路输出端相连；其中所述第一NMOS管的漏极与第三PMOS管的漏极连接，所述第一NMOS管的源极通过第一电阻与地相接，所述第一NMOS管的栅极与第二NMOS管的栅极连接；所述第二NMOS管的源极与地相接，所述第二NMOS管的漏极与第四PMOS管的漏极相接，其中所述第二NMOS管的漏极和栅极分别与负温度系数电流产生单元相接；所述负温度系数电流产生单元，包括第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九NMOS管、第三电阻；其中所述第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管的源极分别与电源电压连接，第六PMOS管的漏极和栅极相互连接，第六PMOS管的栅极和第七PMOS管的栅极相接，第七PMOS管的栅极与第八PMOS管的栅极相连，且所述第八PMOS管的漏极与电路输出端连接；其中所述第七PMOS管的漏极通过第三电阻与地相接，所述第七PMOS管的漏极与第一NMOS管的栅极连接；其中所述第九NMOS管的漏极与第六PMOS管的漏极连接，所述第九NMOS管的源极与地相接，所述第九NMOS管的栅极与第二NMOS管的漏极相接，所述第二NMOS管的栅极与第七PMOS管的漏极连接。

2.根据权利要求1所述的一种偏置电流产生电路，其特征在于：所述正温度系数电流产生单元中，还包括第二电阻、电容，其中所述第二电阻的一端和第二NMOS管的漏极相连，另一端和电容的一端相连，电容另一端和第一NMOS管的栅极相连。