[发明专利]基于磁电双场调控的石墨烯电磁场强度调制器有效
| 申请号： | 201710689846.4 | 申请日： | 2017-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN107357052B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 陆亚林;胡翔;黄秋萍;蔡宏磊 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | G02F1/00 | 分类号： | G02F1/00 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 张国梁 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及基于磁电双场调控的石墨烯电磁场强度调制器。本发明提供一种电磁场强度调制器，所述电磁场强度调制器包含石墨烯层(1)、电容层(2)、导电介质层(3)、导电螺线圈(4)、磁芯(5)；所述电容层(2)位于石墨烯层(1)和导电介质层(3)之间，导电介质层(3)位于磁芯(5)端面上方，导电螺线圈(4)环绕于磁芯(5)非端面的磁芯外表面。本发明的电磁场强度调制器可通过自行产生的可变磁场和栅极电场来控制石墨烯的电导率频谱，从而能够在射频至远红外频段的电磁波范围内众多频点上实现相互独立的、针对入射电磁波的振幅调控，具有极好的主动调频性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 磁电 调控 石墨 电磁场 强度 调制器 | ||
【主权项】：
1.一种电磁场强度调制器，所述电磁场强度调制器包含石墨烯层(1)、电容层(2)、导电介质层(3)、导电螺线圈(4)、磁芯(5)；所述电容层(2)位于石墨烯层(1)和导电介质层(3)之间，导电介质层(3)位于磁芯(5)端面上方，导电螺线圈(4)环绕于磁芯(5)非端面的磁芯外表面，其中磁芯(5)的端面抛光度高于1.0微米，并且其中磁芯(5)的端面作为反射面和衬底。/n
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