[发明专利]薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法、液晶显示面板有效
| 申请号： | 201710674521.9 | 申请日： | 2017-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN107564966B | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 李松杉 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 钟子敏 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法、液晶显示面板，涉及显示技术领域。该薄膜晶体管包括基板、栅极层及绝缘层，栅极层形成于基板上，绝缘层覆盖于栅极层；半导体层，形成于绝缘层上；导体层，形成于半导体层上；绝缘间隔层，形成在绝缘层上；源漏极层，形成在导体层和绝缘间隔层上；钝化层，形成于源漏极层和半导体层上；其中，绝缘间隔层位于源漏极层和半导体层之间，可以解决薄膜晶体管存在漏电流过大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 液晶显示 面板 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：基板、栅极层及绝缘层，所述栅极层形成于所述基板上，所述绝缘层覆盖于所述栅极层；半导体层，形成于所述绝缘层上；导体层，形成于半导体层上；绝缘间隔层，形成在所述绝缘层上；源漏极层，形成在所述导体层和所述绝缘间隔层上；钝化层，形成于所述源漏极层和所述半导体层上；其中，所述绝缘间隔层位于所述源漏极层和所述半导体层之间。
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