[发明专利]太阳能电池和用于制造太阳能电池的方法有效
| 申请号： | 201710671160.2 | 申请日： | 2017-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN107706250B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 松山谦太 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;张燕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种太阳能电池，其具有：第一导电型晶体硅基板10，具有设置在表面上的纹理；和i型非晶硅层16，位于晶体硅基板10的表面上，其中，纹理的底部的曲率半径R1大于其峰部的曲率半径R2。晶体硅基板10在其表面上具有含有第一导电型掺杂剂的第一导电型高掺杂区域10b，并且第一导电型高掺杂区域10b中的掺杂剂浓度高于晶体硅基板10的厚度方向上的中部中的掺杂剂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池，包括：第一导电型晶体硅基板，具有设置在其表面上的纹理；以及非晶硅层，位于所述晶体硅基板的所述表面上，其中，所述纹理的底部的曲率半径比所述纹理的峰部的曲率半径更大；并且所述晶体硅基板在所述表面上具有含有第一导电型掺杂剂的第一导电型高掺杂区域，并且所述第一导电型高掺杂区域具有比所述晶体硅基板的厚度方向上的中心部分中的掺杂剂浓度更高的掺杂剂浓度。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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