[发明专利]一种DAB优化运行软开关下防止电流回流的方法在审

专利信息
申请号: 201710657866.3 申请日: 2017-08-03
公开(公告)号: CN107241022A 公开(公告)日: 2017-10-10
发明(设计)人: 童安平;李国杰;陈庭记;王育槐;肖晶;徐荆州 申请(专利权)人: 国网江苏省电力公司南京供电公司;上海交通大学;国网江苏省电力公司;国家电网公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335
代理公司: 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31317 代理人: 张宁展
地址: 210008 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种DAB优化运行软开关下防止电流回流的方法,本发明既实现了DAB电流优化运行下的软开关,减小了DAB功率器件开通、关断的损耗;又避免了DAB轻载下电流的回流,确保DAB的正常运行。
搜索关键词: 一种 dab 优化 运行 开关 防止 电流 回流 方法
【主权项】:
一种DAB优化运行软开关下防止电流回流的方法,所述的DAB(dual‑active‑bridge,双有源全桥变流器)由直流电压源、原边单相全桥(H1)、副边单相全桥(H2)、高频隔离变压器、高频电感L和控制器组成,所述的原边单相全桥H1的4个全控开关器件为S1~S4,副边单相全桥H2的4个全控开关器件为Q1~Q4;所述的原边单相全桥的直流母线的正极与对应直流电压源的正极相连,原边单相全桥的直流母线的负极与对应的直流电压源的负极相连,原边单相全桥的交流侧通过随时随地高频电感L与高频隔离变压器的原边相连;所述的副边单相全桥的直流母线正极与对应直流负载的正极相连,副边单相全桥的直流母线的负极与对应的直流负载的负极相连,副边单相全桥的交流侧与高频隔离变压器副边相连,所述的高频隔离变压器的变比为n:1;所述的原边单相全桥的开关器件S1~S4的控制信号的输入端和副边单相全桥的开关器件Q1~Q4的控制信号的输入端与所述的控制器对应的开关信号的输出端相连;所述的控制器包括乘法器、比较器、PI控制器和调制单元,乘法器有两个信号输入端,分别测量所述的DAB的副边直流负载的电压V2和电流I2,电压V2和电流I2通过乘法器计算出负载功率Po,负载功率Po与给定功率Pref经比较器输出k,所述的调制单元输出开关控制信号的输出端分别与所述的DAB的原副边全桥相应的开关器件S1~S4与Q1~Q4的控制信号的输入端相连;其特征在于,该方法包括如下步骤:1)测量DAB的输出电压V2,所述的控制器按公式(1)计算电压传输比:M=n×V2V1---(1)]]>其中,V1为DAB输入电压给定值,n为变压器的变比,其中V1、n两个参数作为初值预先设定;2)通过下述公式计算DAB在轻载情况下软开关移相比控制量:D1,ZVs=k*MD0,zvs=(1-M)(1-D1,zvs)M]]>D2,zvs=α×(D1,zvs‑D0,zvs)   (2)其中,D1,ZVS表示DAB端口1的H1内部移相比,D2,ZVS表示DAB副边端接口2的H2内部移相比,D0,ZVS表示DAB两个端口H1与H2之间的移相比;k为DAB端口1全桥内部移相比D1,ZVS与电压传输比M之间的系数,取值为0.2~0.3,α表示系数,取值为0.1~1;3)软开关条件:原边全桥内部移相比D1,ZVS,副边全桥内部移相比D2,ZVS,原副边之间的移相比D0,ZVS满足软开关的条件如下公式:轻载下:(1-D1,ZVS)V1+(D2,ZVS-1)nV2>0(D1,ZVS-1)V1+(1+D2,ZVS+2D0,ZVS-2D1,ZVS)nV2<0---(3)]]>4)防止回流时的控制量D1,ZVS,D2,ZVS满足以下条件:D2,ZVS=1-1-D1,ZVSM---(4)]]>5)所述的控制器按所述的原边全桥内部移相比D1,ZVS,副边全桥内部移相比D2,ZVS,原副边之间的移相比D0,ZVS形成驱动信号脉冲按时序输入并控制所述的原边单相全桥(H1)、副边单相全桥(H2)的工作,完成调制过程,即可防止DAB电流优化运行软开关下的轻载电流的回流,确保DAB软开关下的正常工作。
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