[发明专利]基于电容反馈跨阻放大器芯片顶层防护层完整性检测装置有效
| 申请号： | 201710636669.3 | 申请日： | 2017-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN107563202B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 赵毅强;辛睿山;王佳;李跃辉 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G06F21/57 | 分类号： | G06F21/57 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 刘国威 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及芯片抗聚焦离子束攻击领域，为提出一种顶层金属防护层完整性检测方法，判断攻击者是否利用FIB对防护层进行修改。本发明，基于电容反馈跨阻放大器芯片顶层防护层完整性检测装置，由电容C、运放AMP、开关S以及防护层走线AB构成，防护层走线AB的B端接输入电压VIN，A端接运放AMP的负向输入端，电容C的一端接运放AMP的负向输入端，另一端接运放AMP的输出端VOUT，开关S与电容C并联，运放AMP的正向输入端接参考电压VREF，开关S由周期为T的时钟信号CLK控制，当时钟CLK处于高电平时，开关闭合；当CLK处于低电平时，开关打开。本发明主要应用于芯片抗聚焦离子束攻击检测场合。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电容 反馈 放大器 芯片 顶层 防护 完整性 检测 装置 | ||
【主权项】：
一种基于电容反馈跨阻放大器芯片顶层防护层完整性检测装置，其特征是，由电容C、运放AMP、开关S以及防护层走线AB构成，防护层走线AB的B端接输入电压VIN，A端接运放AMP的负向输入端，电容C的一端接运放AMP的负向输入端，另一端接运放AMP的输出端VOUT，开关S与电容C并联，运放AMP的正向输入端接参考电压VREF，开关S由周期为T的时钟信号CLK控制，当时钟CLK处于高电平时，开关闭合，CTIA处于复位状态，VOUT＝VREF，当CLK处于低电平时，开关打开，CTIA处于积分状态，输出VOUT与输入有关。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学，未经天津大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710636669.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
