[发明专利]基于单模-多模-无芯光纤结构的磁场强度检测传感器有效

专利信息
申请号: 201710631839.9 申请日: 2017-07-28
公开(公告)号: CN107179516B 公开(公告)日: 2023-06-09
发明(设计)人: 牛龙飞;周国瑞;吕海兵;苗心向;刘昊;蒋一岚;袁晓东;周海;马志强;邹睿;刘青安 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
主分类号: G01R33/032 分类号: G01R33/032
代理公司: 绵阳远卓弘睿知识产权代理事务所(普通合伙) 51371 代理人: 张忠庆
地址: 621900 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种基于单模‑多模‑无芯光纤结构的磁场强度检测传感器,包括:单模光纤;多模光纤,其输入端与单模光纤的输出端熔接;无芯光纤,其一端与多模光纤的输出端偏心熔接;无芯光纤与多模光纤偏心熔接后的不重叠位置处包覆第一金属膜层;无芯光纤的另一端面附着第二金属膜层;无芯光纤的表面包覆超磁致伸缩材料层。将磁场强度检测传感器置于磁场中,磁场强度发生变化,会导致有超磁致伸缩材料薄膜发生形变及波导折射率发生变化,从而引起无芯光纤纵向长度产生微小形变及谐振条件发生变化,使马赫‑泽德混合干涉中一干涉臂光程发生变化导致整个波导干涉条件发生变化,通过光电探测器接收信号,并进行处理即可反推外部环境磁场强度。
搜索关键词: 基于 单模 多模 光纤 结构 磁场强度 检测 传感器
【主权项】:
一种基于单模‑多模‑无芯光纤结构的磁场强度检测传感器,其特征在于,包括:单模光纤,其用于光信号的输入和输出;多模光纤,其输入端与所述单模光纤的输出端无偏心熔接;无芯光纤,其一端与所述多模光纤的输出端偏心熔接;所述无芯光纤的表面附着超磁致伸缩材料层;其中,所述无芯光纤与多模光纤偏心熔接后的不重叠位置处附着第一金属膜层以反射多模光纤中的光信号;所述无芯光纤的另一端附着第二金属膜层以反射无芯光纤中的光信号。
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