[发明专利]基板处理装置和方法

摘要

一种基板处理装置，包括：处理室，在其内部具有处理空间；支撑单元，其布置在处理室中以支撑基板；供气单元，其被配置为将工艺气体提供到处理室中；等离子体产生单元，其被配置为由工艺气体产生等离子体。等离子体产生单元包括：上电极，其布置在基板上；下电极，其布置在基板下方以与上电极竖直相对；三个高频电源，其被配置为向下电极施加高频功率。这三个高频电源包括：频率为10MHz以下的第一频率电源和第二频率电源；和频率为10MHz以上的第三频率电源。

主权项

1.一种基板处理装置，包括：处理室，在其内部具有处理空间；支撑单元，所述支撑单元布置在所述处理室中以支撑基板；供气单元，所述供气单元被配置为将工艺气体提供到所述处理室中；和等离子体产生单元，所述等离子体产生单元被配置为由所述工艺气体产生等离子体，其中，所述等离子体产生单元包括：上电极，所述上电极布置在所述基板上；下电极，所述下电极布置在所述基板下方以与所述上电极竖直相对；三个高频电源，所述三个高频电源被配置为向所述下电极施加高频功率，和脉冲电源，所述脉冲电源被配置为对所述三个高频电源施加开/关脉冲，以及其中，所述三个高频电源包括：频率为10MHz以下的第一频率电源和第二频率电源；和频率为10MHz以上的第三频率电源，且其中，所述第一频率电源的频率为400KHz或2MHz，所述第二频率电源的频率为9.8MHz，且所述第三频率电源的频率为60MHz；其中，所述等离子体产生单元独立地控制所述三个高频电源的脉冲频率。