[发明专利]一种双向通讯电平差转换和电压隔离方法、装置在审
| 申请号： | 201710617775.7 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN107391407A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 朱映波;曾荣;郭伶燕;韩勖 | 申请（专利权）人： | 天翼爱音乐文化科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/38 | 分类号： | G06F13/38;G06F13/40 |
| 代理公司： | 广州知顺知识产权代理事务所(普通合伙)44401 | 代理人： | 彭志坚 |
| 地址： | 510000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种双向通讯电平差转换和电压隔离装置，包括N沟道MOS和2种电平的上拉电阻，所述N沟道MOS串接于2个有电平差的互相通讯的第一信号源和第二信号源之间；其中，第一上拉电阻连接在所述N沟道MOS的G极和S极之间，所述N沟道MOS的S极与第一信号源连接，且所述第一上拉电阻由第一电压供电；第二上拉电阻与所述N沟道MOS的D极连接，所述N沟道MOS的D极连接与第二信号源连接，且所述第二上拉电阻由第二电压供电；其中，所述第一电压小于所述第二电压。利用本发明可以防止双向通讯电平转换时出现电流倒灌的问题，保护芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双向 通讯 电平 转换 电压 隔离 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种双向通讯电平差转换和电压隔离装置，其特征在于，包括：N沟道MOS和2种电平的上拉电阻，所述N沟道MOS串接于2个有电平差的互相通讯的第一信号源和第二信号源之间；其中，第一上拉电阻连接在所述N沟道MOS的G极和S极之间，所述N沟道MOS的S极与第一信号源连接，且所述第一上拉电阻由第一电压供电；第二上拉电阻与所述N沟道MOS的D极连接，所述N沟道MOS的D极连接与第二信号源连接，且所述第二上拉电阻由第二电压供电；其中，所述第一电压小于所述第二电压。
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