[发明专利]一种基于卤化亚锡的阻变存储器有效
| 申请号： | 201710611789.8 | 申请日： | 2017-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN107565017B | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 王浩;何玉立;马国坤;刘春雷;蔡恒梅;陈傲 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 42212 武汉河山金堂专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 丁齐旭 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种基于卤化亚锡的阻变存储器及其制备方法，其具体结构为三明治结构，用FTO、或ITO、或ZTO作为基片和底电极，卤化亚锡薄膜作为阻变层，Pt、Au、W作为顶电极。本发明采用了一种新型的阻变功能材料卤化亚锡，它具有成分简单、易于成膜、性能稳定的特点。以卤化亚锡作为阻变层制备的阻变存储器单元，具有高低阻态比值窗口大、电学性能稳定、制备工艺简单、成本低廉、安全可靠，同时无环境污染的特点。具有良好的循环耐受性，在多次重复擦写之后仍然具有良好的阻变性能。本发明具有较好的发展潜力和应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 卤化 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种基于卤化亚锡的阻变存储器，从下至上依次为透明导电玻璃基片及底电极、阻变层和顶电极，其特征在于/n所述透明导电玻璃的材料为FTO、或者为ITO、或者为ZTO，底电极为其导电薄膜，是阻变存储器的共电极；/n所述阻变层为卤化亚锡薄膜，其厚度为50～300nm，阻变层由单个或多个单元组成，每个单元一端连接顶电极，一端连接底电极；/n所述顶电极为Au、Pt薄膜或W薄膜，厚度为50～300nm，顶电极由多个顶电极单元组成，每个顶电极单元一端浮置，一端连接相应的阻变层单元；/n所述卤化亚锡为SnI
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖北大学，未经湖北大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710611789.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
