[发明专利]包括电隔离图案的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710607173.3 | 申请日： | 2017-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN107665859B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 金基贤;F.B.普林茨;姜真成;李永东;J.普罗文;P.辛德勒;S.P.沃尔克;金容民;金孝真 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;里兰斯坦福初级大学理事会 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/762;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了包括电隔离图案的半导体器件及其制造方法。一种形成复合电介质材料的方法可以通过执行第一沉积循环以形成第一电介质材料以及执行第二沉积循环以在第一电介质材料上形成第二电介质材料来提供，其中第一电介质材料和第二电介质材料包括从由过渡金属氮化物、过渡金属氧化物、过渡金属碳化物、过渡金属硅化物、后过渡金属氮化物、后过渡金属氧化物、后过渡金属碳化物、后过渡金属硅化物、准金属氮化物、准金属氧化物和准金属碳化物组成的列表中选择的不同的电介质材料。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 隔离 图案 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：线图案，提供在衬底上，所述线图案在第一方向上延伸并彼此平行；导电图案，被提供为在所述第一方向上彼此间隔开，在各对所述线图案之间；以及各绝缘栅栏，包括金属氮化物层，在各对所述导电图案之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
