[发明专利]红外焦平面探测器及其制备方法在审
申请号: | 201710600470.5 | 申请日: | 2017-07-21 |
公开(公告)号: | CN108987523A | 公开(公告)日: | 2018-12-11 |
发明(设计)人: | 白谢晖 | 申请(专利权)人: | 北京弘芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/103 | 分类号: | H01L31/103;H01L31/18;H01L27/144 |
代理公司: | 北京清源汇知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11644 | 代理人: | 冯德魁;窦晓慧 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种红外焦平面探测器,其包括硅片衬底、复数个红外探测单元构成的红外探测器阵列、硅读出电路、以及复数个铟柱;红外探测器阵列设置于所述硅片衬底的其中一侧;复数个铟柱设置于红外探测器阵列和硅读出电路之间,将红外探测器阵列的每一红外探测单元和硅读出电路相连。本发明还提供一种红外焦平面探测器的制备方法。本发明的红外焦平面探测器不仅解决了现有的红外焦平面探测器由于红外探测器阵列和硅读出电路两部分的材料不同导致热膨胀系数不同引起的红外焦平面探测器使用寿命短,使用成本高的问题,而且其结构简单,易实现,制造成本低,且减少了对入射的红外辐射的反射和吸收,提高了进光量。 | ||
搜索关键词: | 红外焦平面探测器 红外探测器阵列 硅读出电路 复数 红外探测单元 硅片 衬底 铟柱 制备 热膨胀系数 红外辐射 使用寿命 制造成本 进光量 反射 入射 吸收 | ||
【主权项】:
1.一种红外焦平面探测器,其特征在于,包括硅片衬底、复数个红外探测单元构成的红外探测器阵列、硅读出电路、以及复数个铟柱;所述红外探测器阵列设置于所述硅片衬底的其中一侧;所述复数个铟柱设置于所述红外探测器阵列和所述硅读出电路之间,将所述红外探测器阵列的每一红外探测单元和所述硅读出电路相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的