[发明专利]超级结的制造方法

摘要

本发明公开了一种超级结的制造方法包括步骤：提供表面形成有第一导电类型掺杂的第一外延层的晶圆，按照侧面为90度的要求进行光刻刻蚀形成超级结的沟槽，沟槽的侧面倾角会在90度正负波动；进行第一次外延生长在各沟槽的底部表面和侧面形成用于修复沟槽的侧面倾角波动的第二外延层；进行第二次外延生长形成第二导电类型掺杂的第三外延层将各沟槽完全填充并形成超级结。本发明的第二外延层为第一导电类型掺杂或者非掺杂或者为小于后续第三外延层的掺杂浓度一半的第二导电类型掺杂，能实现对沟槽的侧面倾角波动的修复，使各区域的第三外延层结构均匀，能提高沟槽工艺的面内均匀性，从而提高器件的耐压及耐压均匀性，提高产品的良率。

主权项

1.一种超级结的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一、提供表面形成有第一导电类型掺杂的第一外延层的晶圆，采用光刻刻蚀工艺在所述第一外延层中形成超级结的沟槽，所述沟槽包括多个且按照侧面为90度的要求进行刻蚀，由于刻蚀工艺在所述晶圆面内具有波动性，使形成的所述沟槽的侧面倾角会在90度正负波动从而在所述晶圆面内会同时形成侧面倾角大于90度的沟槽和侧面倾角小于等于90度的沟槽；/n步骤二、进行第一次外延生长在各所述沟槽的底部表面和侧面形成用于修复所述沟槽的侧面倾角波动的第二外延层；/n所述第二外延层为第一导电类型掺杂或者非掺杂或者为小于后续第三外延层的掺杂浓度一半的第二导电类型掺杂；/n在所述第一次外延生长过程中，从所述沟槽侧面的底部到顶部的方向上外延生长速率逐渐增加，且所述沟槽侧面倾角越大所述沟槽侧面的底部的外延生长速率越快，利用所述第一次外延生长的速率变化的特点使填充所述第二外延层后的各所述沟槽的侧面倾角面内均匀性提高且都小于等于90度；/n步骤三、进行第二次外延生长形成第二导电类型掺杂的第三外延层将各所述沟槽完全填充并形成所述超级结。/n