[发明专利]一种基于纳米线作隔离层的压阻式传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201710593245.3 | 申请日： | 2017-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN107389234B | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 高义华;刘逆霜;罗成 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22;G01L9/04;B82Y40/00;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于纳米线作隔离层的压阻式传感器及其制备方法，压阻式传感器包括导电基底、隔离层和导电聚合物膜，隔离层为纳米线。利用微观的纳米线网络结构调控宏观材料的电学接触，同时保证两层活性材料既能良好接触又能对外界压力有大的响应。将纳米线作隔离层，纳米线电纺在平整的导电基底上；将导电聚合物膜较为不平整的一面与纺有纳米线的导电基底接触，形成高灵敏度的压阻式传感器。本发明的制备方法简单且成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 隔离 压阻式 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于纳米线作隔离层的压阻式传感器，其特征在于，包括：导电基底、隔离层和导电聚合物膜，所述隔离层为纳米线，所述导电聚合物膜为表面褶皱的层状膜。
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