[发明专利]一种基于纳米线作隔离层的压阻式传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于纳米线作隔离层的压阻式传感器，其特征在于，包括：导电基底、隔离层和导电聚合物膜，所述隔离层为纳米线，所述导电聚合物膜为表面褶皱的层状膜。

2.如权利要求1所述的一种基于纳米线作隔离层的压阻式传感器，其特征在于，所述纳米线为聚乙烯纳米线、聚丙烯纳米线、聚乳酸纳米线、聚己内酯聚氯乙烯纳米线、聚环氧己烷纳米线、聚苯乙烯纳米线、蚕丝蛋白纳米线、聚酰胺纳米线、聚乙烯醇纳米线、聚乙烯吡咯烷酮纳米线和聚胺酯纳米线中的任意一种。

3.如权利要求2所述的一种基于纳米线作隔离层的压阻式传感器，其特征在于，所述纳米线为聚乙烯醇纳米线。

4.如权利要求1所述的一种基于纳米线作隔离层的压阻式传感器，其特征在于，所述导电聚合物膜为聚吡咯膜、石墨烯膜、聚苯胺膜、聚噻吩膜、聚乙炔膜及它们的复合膜中的任意一种。

5.如权利要求4所述的一种基于纳米线作隔离层的压阻式传感器，其特征在于，所述导电聚合物膜为聚吡咯膜。

6.如权利要求1所述的一种基于纳米线作隔离层的压阻式传感器，其特征在于，所述导电基底为ITO玻璃片、FTO玻璃片和PET/ITO片中任意一种。

7.如权利要求6所述的一种基于纳米线作隔离层的压阻式传感器，其特征在于，所述导电基底为PET/ITO片。

8.权利要求1-7中任意一项所述的一种基于纳米线作隔离层的压阻式传感器的制备方法，其特征在于，包括：

(1)将纳米线作隔离层，纳米线电纺在平整的导电基底上，所述电纺的时间为1min；

(2)将导电聚合物膜较为不平整的一面与纺有纳米线的导电基底接触，形成压阻式传感器。

9.如权利要求8所述的一种基于纳米线作隔离层的压阻式传感器的制备方法，其特征在于，所述压阻式传感器的制备方法优选为：

(1)将聚乙烯醇纳米线作隔离层，聚乙烯醇纳米线电纺在平整的PET/ITO片上，电纺的时间为1min；

(2)利用电化学沉积吡咯单体获得表面褶皱的层状的聚吡咯膜，将聚吡咯膜较为不平整的一面与纺有聚乙烯醇纳米线的PET/ITO片接触，形成压阻式传感器。