[发明专利]一种晶硅太阳能电池抛光片的加工方法

摘要

本发明公开一种晶硅太阳能电池抛光片的加工方法，包括步骤；1)用RIE刻蚀在电池抛光片表面形成一层损伤层；2)用表面腐蚀液对步骤1)处理过的硅片进行表面腐蚀，形成微米凹坑；3)用HF‑HCl混酸药液除去步骤2)的腐蚀过程中产生的杂质及金属离子；4)将步骤3)处理过的硅片经过RIE刻蚀，制备纳米级的绒面；5)用清洗液除去步骤4)的刻蚀过程中产生的残留物。抛光片经过该加工方法处理后，进行重新扩散，及后道工序，最终抛光片的转换效率基本达到正常电池片的水平，而且电池片的外观和正常电池片无异，达到了抛光片返工的目的。经过本发明的加工方法，电池抛光片由原来的报废处理，现可以作为返工片使用，合格率达到95％。

主权项

1.一种晶硅太阳能电池抛光片的加工方法，其特征在于，具体包括以下步骤：1)用RIE刻蚀在电池抛光片表面形成一层损伤层，RIE刻蚀采用干法刻蚀机，由射频发生器将反应气体离化，离子与硅片发生作用，所述的反应气体为SF₆、O₂和Cl₂的混合，其中SF₆的体积分数为20‑30％，O₂的体积分数为40‑60％，Cl₂的体积分数为10‑40％，反应时间为60‑200S；2)用表面腐蚀液对步骤1)处理过的硅片进行表面腐蚀，形成微米凹坑；3)用HF‑HCl混酸药液除去步骤2)的腐蚀过程中产生的杂质及金属离子；4)将步骤3)处理过的硅片经过RIE刻蚀，RIE刻蚀采用干法刻蚀机，由射频发生器将反应气体离化，离子与硅片发生作用，所述的反应气体为SF₆、O₂和Cl₂的混合，其中SF₆的体积分数为20‑30％，O₂的体积分数为40‑60％，Cl₂的体积分数为10‑40％，反应时间为60‑200S，制备纳米级的绒面；5)用清洗液除去步骤4)的刻蚀过程中产生的残留物。