[发明专利]基于小球改性的高阻变氧化还原石墨烯材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201710584009.5 | 申请日： | 2017-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN107488267B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 龚天巡;毛琳娜;黄文;张华;俞滨;郭俊雄;刘志伟;高敏;林媛 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C08J7/04 | 分类号： | C08J7/04;C08L63/00;C08L33/04;C09D1/00;C09D7/65;C01B32/194;G01L1/22;G01B7/16 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于柔性压力传感器领域，提供一种基于小球改性的高阻变氧化还原石墨烯材料及其制备方法；所述材料由氧化石墨烯掺杂聚乙烯纳米小球形成，其中，所述聚乙烯纳米小球的尺寸为直径90nm～2000nm，掺杂浓度为：质量比，1.56～12.5％。本发明将聚乙烯纳米小球(PS小球)掺进RGO薄膜中，聚乙烯纳米小球作为绝缘体引入，从而改变RGO碎片堆叠的结构，在同等的应变条件下，掺杂后的RGO的电阻变化将会变大，显示出很好的阻变特性；基于本发明RGO薄膜形成的传感器也就拥有更高的灵敏度(7～250)，远远大于常规RGO传感器；同时还能够通过调节掺杂PS小球的尺寸及浓度实现应变检测范围的调节。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 小球 改性 高阻变 氧化 还原 石墨 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
基于小球改性的高阻变氧化还原石墨烯材料，其特征在于，所述材料由氧化石墨烯掺杂聚乙烯纳米小球形成，其中，所述聚乙烯纳米小球的尺寸为直径90nm～2000nm，掺杂浓度为：质量比，1.56～12.5％。
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