[发明专利]一种PS-b-P2VP模板的硅表面纳米级高分子刷图案的制备方法有效

专利信息
申请号: 201710580216.3 申请日: 2017-07-17
公开(公告)号: CN107602746B 公开(公告)日: 2020-10-27
发明(设计)人: 路小彬;徐平 申请(专利权)人: 黔南民族师范学院
主分类号: C08F120/06 分类号: C08F120/06
代理公司: 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 代理人: 谷庆红
地址: 558000 贵州省黔南布*** 国省代码: 贵州;52
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摘要: 发明提供了一种PS‑b‑P2VP模板的硅表面纳米级高分子刷图案的制备方法,其采用简单易行的化学方法,能够在硅表面大批量大面积的制作≤100nm的密集排列的指纹状、线状纳米结构,成本低、易操作,其克服了现有物理纳米刻蚀技术需要昂贵机器、成本高、操作繁琐、劳动密集,只能生产几毫米的小面积的问题和缺点,并且利用PS‑b‑P2VP分子量、组份和环境条件的改变,可以在10‑100nm之间实现精确调节。
搜索关键词: 一种 ps p2vp 模板 表面 纳米 高分子 图案 制备 方法
【主权项】:
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