[发明专利]晶圆测试的方法

摘要

本发明提供了晶圆测试的方法，包括：预设目标电压值T和模拟调整比例X的值；测量要改善的晶圆上一颗芯片的第一实际电压值V；实际调整比例W为第一实际电压值V与目标电压值T的差，占第一实际电压值V的百分比；选择与实际调整比例W最接近的模拟调整比例X的最接近项次；将最接近项次及其前后各U个项次，做模拟破坏并测量对应的模拟电压值S；挑选模拟电压值S最接近预设目标电压值T的项次，做电性破坏；计算第二实际电压值P与目标电压值T的差Q；重复上述步骤，测量Z颗芯片，统计所有芯片的差Q的平均值R；将目标电压值T与平均值R的差作为新的目标电压值T；重复上述所有步骤，直到测试结束。

主权项

1.一种晶圆测试的方法，其特征在于，包括以下步骤：S100、预设目标电压值T，和根据晶圆中芯片的保险丝组在不同电性破坏阶数下所对应的模拟调整比例X的值，所述保险丝组包括U根保险丝，则根据每根保险丝的通断状态，所述保险丝组具有(2U)个电性破坏阶数；S101、测量要改善的晶圆上一颗芯片的第一实际电压值V；S102、获得实际调整比例W，所述实际调整比例W为所述第一实际电压值V与所述目标电压值T的差，占所述第一实际电压值V的百分比；S103、判断所述实际调整比例W是否在所述模拟调整比例X的范围内，若是，则执行步骤S104，若否，则测试结束；S104、选择与所述实际调整比例W最接近的模拟调整比例X中的最接近项次；S105、将所述最接近项次及其前后各U个项次，U为正整数，总共(2U+1)个项次做模拟破坏并测量对应的模拟电压值S；S106、挑选所述模拟电压值S最接近所述预设目标电压值T的项次，做电性破坏；S107、测量电性破坏之后的第二实际电压值P，并计算第二实际电压值P与目标电压值T的差Q；S108、重复步骤S101至步骤S107，测量Z颗芯片，Z为正整数，统计所有芯片的第二实际电压值P与目标电压值T的差Q的平均值R；S109、将目标电压值T与平均值R的差作为新的目标电压值T；以及S110、重复步骤S101至步骤S109，直到测试结束。