[发明专利]一种耐用性测试方法有效
| 申请号： | 201710567326.6 | 申请日： | 2017-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN107346668B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 张宇飞;龚斌 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/18 | 分类号： | G11C29/18;G11C29/56 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及存储技术领域，尤其涉及一种耐用性测试方法，应用于一闪存；所述闪存包括一芯片，所述芯片包括多个块，每个所述块包括多个扇区；其中，所述可靠性测试方法包括：执行第一擦写操作第一预定数量次；执行第二擦写操作第二预定数量次；以及根据所有擦除操作的测试结果对所述闪存进行耐用性评估；上述技术方案能够兼顾对块及扇区的擦除操作的耐用性检测，从而保证闪存的可靠性验证的完整。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耐用性 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种耐用性测试方法，应用于一闪存；所述闪存包括一芯片，所述芯片包括多个块，每个所述块包括多个扇区；其特征在于，所述可靠性测试方法包括：执行第一擦写操作第一预定数量次；执行第二擦写操作第二预定数量次；以及根据所有擦除操作的测试结果对所述闪存进行耐用性评估；所述第一擦写操作包括：步骤a1，取所述芯片中任意一块为当前块，对所述当前块中的每个所述扇区进行扇区擦除操作；步骤a2，对所述芯片中除所述当前块以外的其他块按一预定顺序进行块擦除操作；步骤a3，写所述芯片；所述第二擦写操作包括：步骤b1，对所述当前块执行扇区擦除操作；步骤b2，于所述芯片中除所述当前块以外的其他块中以预定策略选取的第三预定数量的块，对被选取的所述块按所述预定顺序进行块擦除操作；步骤b3，写所述步骤b2中被擦除的块。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710567326.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种通话语音角色分离方法及装置
- 下一篇：一种针对高放射性基坑的柔性屏蔽方法
