[发明专利]一种离子注入能量监控方法有效
| 申请号： | 201710564681.8 | 申请日： | 2017-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN107195566B | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 田巍岐 | 申请（专利权）人： | 张学利 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R27/02 |
| 代理公司： | 北京鼎德宝专利代理事务所(特殊普通合伙) 11823 | 代理人： | 牟炳彦 |
| 地址： | 317000 浙江省台*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种离子注入能量监控方法。所述离子注入能量监控方法，包括：在硅衬底形成基础氧化层；所述基础氧化层表面形成多个多晶硅‑绝缘层复合结构；在所述多个多晶硅‑绝缘层复合结构形成接触孔，并在所述接触孔制作金属测试块；对所述多个多晶硅‑绝缘层复合结构进行离子注入处理；利用所述金属测试块对所述多个多晶硅‑绝缘层复合结构进行电阻测试，来检测在所述离子注入过程中的离子注入能量是否出现偏差。本发明提供的方法可以通过在硅衬底依次形成多层相互绝缘的多晶硅层并对其进行离子注入，并通过金属测试块进行电阻测试来检测离子注入能量，实现简单方便高效地监控离子注入能量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 能量 监控 方法 | ||
【主权项】：
1.一种离子注入能量监控方法，其特征在于，包括：在硅衬底的表面形成基础氧化层；所述基础氧化层表面形成多个多晶硅‑绝缘层复合结构；在所述多个多晶硅‑绝缘层复合结构形成接触孔，并在所述接触孔制作金属测试块；对所述多个多晶硅‑绝缘层复合结构进行离子注入处理；利用所述金属测试块对所述多个多晶硅‑绝缘层复合结构进行电阻测试，来检测在所述离子注入过程中的离子注入能量是否出现偏差。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
