[发明专利]一种TiO2@PZT纳米线阵列/聚合物的复合介电材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201710564172.5 | 申请日： | 2017-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN107275475B | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 张斗;刘巍巍;罗行;汤林 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | H01L41/18 | 分类号： | H01L41/18;H01L41/193;H01L41/47 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人： | 魏娟 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TiO2@PZT纳米线阵列/聚合物的复合介电材料，包括TiO2纳米线阵列、PZT包覆层和聚合物层。此外，本发明还公开了所述复合材料的制备方法，先在基底表面生长TiO2纳米线阵列层；再在其表面涂覆PZT溶胶、随后进行退火处理，最后再在复合后的TiO2纳米线阵列层表面涂覆聚合物溶液，干燥即得所述的复合介电材料。本发明提供的材料利用具备高度取向性的TiO2纳米线阵列作为基底，再将PZT相包覆于纳米线的表面、再在上层旋涂聚合物，可克服现有复合介电材料普遍存在的因陶瓷相和聚合物基体相容性不好、混合不均匀等导致的介电性能差的技术问题；通过所述的各层结构的协同，可高效提升复合材料的介电性能以及低电场下的储能密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tio2 pzt 纳米 阵列 聚合物 复合 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种TiO2@PZT纳米线阵列/聚合物的复合介电材料，其特征在于，包括依次复合的TiO2纳米线阵列、PZT层和聚合物层；所述的TiO2纳米线阵列由若干沿基底垂直方向生长的TiO2纳米线组成；TiO2纳米线阵列中，TiO2纳米线长度为2～4μm，直径为50～70nm；PZT层的厚度为5‑20nm；所述的聚合物层的材料为P(VDF‑TrFE‑CTFE)。
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