[发明专利]等离子体起辉状态监测方法及监测装置和半导体处理设备有效
| 申请号： | 201710561903.0 | 申请日： | 2017-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN109243955B | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 范光涛 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;罗瑞芝 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体起辉状态监测方法及监测装置和半导体处理设备。该等离子体起辉状态监测方法包括：在等离子体开始起辉时，采集形成在基片表面的等离子体鞘层的对地交流电压信号；对等离子体鞘层的对地交流电压信号进行处理，以获得等离子体鞘层的对地交流电压信号的最大峰值电压；判断等离子体鞘层的对地交流电压信号的最大峰值电压是否达到了等离子体的起辉成功电压，以确定等离子体是否起辉。该等离子体起辉状态监测方法通过对等离子体鞘层的对地交流电压信号进行监测，能够判断等离子体的起辉状态是否正常，无需再采用等离子体光谱监测方法，从而不仅能够有效地监测等离子体辉光放电状态，而且有效地降低了等离子体起辉状态的监测成本。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 状态 监测 方法 装置 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体起辉状态监测方法，其特征在于，包括：在等离子体开始起辉时，采集形成在基片表面的等离子体鞘层的对地交流电压信号；对所述等离子体鞘层的所述对地交流电压信号进行处理，以获得所述等离子体鞘层的所述对地交流电压信号的最大峰值电压；判断所述等离子体鞘层的所述对地交流电压信号的最大峰值电压是否达到了等离子体的起辉成功电压，以确定等离子体是否起辉。
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