[发明专利]中子捕获治疗系统

摘要

本申请提供一种中子捕获治疗系统，包括射束整形体，其包括射束入口、设于射束整形体内的中子产生部、邻接于中子产生部的缓速体、包围在缓速体外的反射体及射束出口，中子产生部与自射束入口入射的质子束发生核反应以产生中子，缓速体将自中子产生部产生的中子缓速，反射体将偏离的中子导回至所述缓速体以提高超热中子射束强度，射束整形体包括至少一个能够向远离或者靠近中子产生部方向运动的活动件，所述活动件具有第一位置和第二位置，所述活动件在该第一位置和第二位置之间运动，当活动件位于第一位置时，中子产生部能够被更换；当活动件位于第二位置时，中子产生部不能够被更换。本申请中子产生部更换方便，结构简单，运用灵活。

主权项

1.一种中子捕获治疗系统，包括射束整形体，其特征在于：所述射束整形体包括射束入口、设于射束整形体内的中子产生部、邻接于中子产生部的缓速体、包围在中子产生部和缓速体外的反射体及射束出口，所述中子产生部与自所述射束入口入射的质子束发生核反应以产生中子，所述缓速体将自所述中子产生部产生的中子缓速，所述反射体将偏离的中子导回至所述缓速体以提高超热中子射束强度，所述射束整形体包括至少一个能够向远离或者靠近中子产生部方向运动的活动件，所述活动件具有第一位置和第二位置，所述活动件在该第一位置和第二位置之间运动，当活动件位于第一位置时，中子产生部能够被更换；当活动件位于第二位置时，中子产生部不能够被更换，所述中子捕获治疗系统还包括驱动组件，所述驱动组件包括承载活动件的门闸及允许门闸向远离或者靠近中子产生部方向运动的导轨，所述门闸沿导轨向远离或者靠近射束整形体的方向运动，当门闸向远离射束整形体方向运动时，所述活动件向远离中子产生部的方向运动；当门闸向靠近射束整形体的方向运动时，所述活动件向靠近中子产生部的方向运动，所述导轨设于射束整形体外，所述驱动组件还包括支撑架，所述支撑架的一端支撑门闸另一端在导轨中运动，所述门闸随着支撑架沿导轨运动而向远离或者靠近射束整形体的方向运动。