[发明专利]低衰减单模光纤及其制备方法在审
| 申请号： | 201710538634.6 | 申请日： | 2017-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN107247305A | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | 陈刚;朱继红;黄利伟;雷汉林;冯正鹏;汪洪海;王瑞春 | 申请（专利权）人： | 长飞光纤光缆股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/036 | 分类号： | G02B6/036;G02B6/02;C03B37/014;C03B37/027 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 | 代理人： | 胡建平 |
| 地址： | 430073 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低衰减单模光纤及其制备方法，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r1为3.5～4.0μm，相对折射率差△1为0.33～0.36％，芯层外从内向外依次包覆内包层和外包层，所述的内包层半径r2为12～14μm，相对折射率差△2为‑0.01～0.01％，所述的外包层半径r3为62～63μm，所述的外包层为纯二氧化硅玻璃层。通过VAD工艺制造芯棒得到芯层掺锗和氯、内包层掺氟和氯的玻璃芯棒，将此芯棒套入纯二氧化硅外套管，或通过OVD工艺在此芯棒外面沉积外包层，得到可供拉丝的预制棒，将此预制棒在1500～3300m/min的拉丝速度下进行拉丝形成光纤。本发明通过掺氯减少芯层掺锗量和改善芯包层粘度匹配实现光纤的低衰减，该光纤制备工艺较为简单，制作成本低，且工艺稳定，产出合格率高。 | ||
| 搜索关键词： | 衰减 单模 光纤 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低衰减单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r1为3.5～4.0μm，相对折射率差△1为0.33～0.36％，芯层外从内向外依次包覆内包层和外包层，所述的内包层半径r2为12～14μm，相对折射率差△2为‑0.01～0.01％，所述的外包层半径r3为62～63μm，所述的外包层为纯二氧化硅玻璃层。
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