[发明专利]一种金属性1T二硫化钼纳米片阵列及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 201710533328.3 申请日: 2017-07-03
公开(公告)号: CN107285385A 公开(公告)日: 2017-10-24
发明(设计)人: 吴明红;湛晶;潘登余;吴宽;施文彦;徐刚 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: C01G39/06 分类号: C01G39/06;B82Y30/00;B82Y40/00;H01M4/58;H01M10/0525;D06M11/53;D06M101/40
代理公司: 北京高沃律师事务所11569 代理人: 刘奇
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种金属性1T二硫化钼纳米片阵列及其制备方法和应用,包括以下步骤将基底进行热处理,得到功能化的基底;将功能化的基底、钼酸盐和含硫化合物在溶剂中进行溶剂热反应,得到金属性1T二硫化钼纳米片阵列。本发明首先对基底进行热处理,提高基底表面润湿性能,然后通过一步溶剂热反应即可在基底表面得到金属性1T二硫化钼纳米片阵列。本发明提供的制备方法步骤简单、成本低、产率高、符合环保要求;且制备的金属性1T二硫化钼纳米片阵列具有优异的储锂性能,在锂离子电池中的具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 金属性 二硫化钼 纳米 阵列 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
一种金属性1T二硫化钼纳米片阵列的制备方法,包括以下步骤:将基底进行热处理,得到功能化的基底;将功能化的基底、钼酸盐和含硫化合物在溶剂中进行溶剂热反应,得到金属性1T二硫化钼纳米片阵列。
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