[发明专利]抗辐照集成电路单粒子效应截面预估方法

摘要

本发明公开了一种抗辐照集成电路单粒子效应截面预估方法，主要是解决在相同地面重离子加速辐照实验条件下单粒子效应截面预估问题，其技术方案为：从大量的工程试验数据出发，分析离子总注量与其所引起的单粒子效应次数之间的逻辑相关性，结合单粒子效应产生的机理和概率论统计理论，建立下一次单粒子效应出现的时间节点Δt_i+1的预估模型以及整个电路单粒子效应截面δ的预估模型，从而建立了离子总注量及其所引起单粒子效应次数之间的逻辑关系，本发明解决了在相同试验条件下单粒子效应截面预估问题，为抗辐照集成电路的地面加速模拟试验评估提供了一种工程性的分析手段。可用于对航天微电子器件抗辐照性能预估。

主权项

1.一种抗辐照集成电路单粒子效应截面预估方法，其特征在于包括：设置相同地面重离子加速辐照实验条件，即假设离子种类相同、离子能量/LET值相同、离子注量率相同、电路内部的SEE敏感性区域分布均匀，电路的实验检测系统也相同；构造相同地面重离子加速辐照实验条件下，发生第i次单粒子效应的时间间隔Δt_i的统计模型：其中，t_sys表示系统参考周期；n_i表示第i‑1次单粒子效应与第i次单粒子效应的时间间隔Δt_i之间的系统周期个数，i＝1,2,3,...k，k取自然整数；Δt_i为第i次出现单粒子效应相对于第i‑1次单粒子效应出现的时间间隔；根据预估模型(1)构造含有Δt_i的第i+1次单粒子效应发生的时间节点Δt_i+1预估模型：其中，Δt_i+1表示第i+1次发生单粒子效应相对于第i次单粒子效应的时间间隔；根据预估模型(2)计算出含有Δt_i+1和单粒子效应次数i的抗辐照集成电路单粒子效应截面预估值δ：其中，N为单粒子效应截面预估值δ所对应的离子总数，v_ions为离子注量率，即被辐照电路单位时间、单位面积上的离子注量；N和v_ions的值由实验源单位提供。