[发明专利]一种单晶硅片绒面的制备方法

摘要

本发明涉及一种单晶硅片绒面的制备方法，属于光电技术领域。本发明先将单晶硅片进行表面清洗，清洗后在绒面处理剂1中进行浸泡，再在绒面处理剂2中进行腐蚀浸泡，进行第一次化学腐蚀制绒处理，再将第一次制绒后的硅片放入培养基中，利用微生物在单晶硅片表面沉积纳米粒子，从而进一步提高形成凹凸不平的孔洞状表面形态，得到具有良好光陷阱作用和减反射效果的多晶硅绒面，提高单晶硅太阳电池的光电转换效率，并且这种绒面结构的形成，可以大幅度增加硅片的表面积，有利于对太阳光的充分吸收。

主权项

1.在一种单晶硅片绒面的制备方法，其特征在于具体制备步骤为：（1）单晶硅片的表面清洗：选取单晶硅片，分别用丙酮和去离子水表面超声清洗后干燥；（2）绒面处理剂1的制备：按重量份数计，分别选取20～40份醋酸溶液、5～7份三氧化铬、5～10份氢氟酸、3～5份甲酸溶液、3～5份酒石酸、4～6份双氧水和10～15份甘油，搅拌混合后得绒面处理剂1；（3）绒面处理剂2的制备：按重量份数计，分别选取5～10份表面活性剂、2～4份氢氧化钙、15～20份氢氧化钾、5～10份氢氧化钠和100～120份水，混合后得绒面处理剂2；所述的表面活性剂为吐温‑80、司盘‑80、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基硫酸钠中的一种或多种；（4）第一次绒面处理后的单晶硅片：将清洗后单晶硅片加入绒面处理剂1中，浸泡后取出，用去离子水清洗后放入绒面处理剂2中浸泡，用去离子水洗涤后干燥；（5）母盐溶液的制备：按重量份数计，分别选取3～6份硝酸钇、4～8份氧化镱、5～9份硝酸铝，100～120份硝酸溶液，加热至60～80℃，搅拌混合后过滤，得滤渣，按质量比1:100，将滤渣加入去离子水中，搅拌均匀即可；所述的硝酸溶液的质量分数为60%；（6）液体培养基的制备：按重量份数剂，分别选取4～6份醋酸钙、10～20份葡萄糖、8～10份酵母膏、10～15份琼脂和800～1000份去离子水，搅拌混合即可；（7）第一次绒面处理后的单晶硅片：按质量比1:50，将第一次绒面处理后的单晶硅片放入液体培养基中，并接种菌号为GLRT202Ca的菌株，避光培养，培养后向液体培养基中滴加母盐溶液，滴加后搅拌，用碳酸氢钠溶液调节pH为8.5～9.0，调节后静止放置2～4天，取出单晶硅片，冲洗表面后干燥，干燥后在700～750℃温度下煅烧30～50min，煅烧后取出，即可得绒面处理后的单晶硅片。