[发明专利]一种激光冷壁环境控制的石墨烯生长系统

摘要

本发明属于石墨烯生长设备技术领域，具体涉及一种激光冷壁环境控制的石墨烯生长系统，通过将加热单元由传统的电阻丝加热改为激光加热，为石墨烯晶体的形核与生长过程提供了稳定的催化背景，为高质量二维晶体的生长提供了有力保障；同时激光加热使反应腔内环境温度始终保持低温，不需提供额外的冷却系统，使得设备结构更加紧凑，并且有效地缩短了石墨烯生长的时间，提高了制备效率；通过四极质谱仪和关联双向反馈系统，可以实时追踪石墨烯生长气氛，实现精确调控反应环境，并使得供气系统与侦测系统形成动态输出与反馈体系，从而实现对石墨烯生长参数的精确调控；通过精确调控反应气氛实现一台设备生产不同品质用途的石墨烯。

主权项

一种激光冷壁环境控制的石墨烯生长系统，其特征在于：包括反应腔（3），所述反应腔（3）的一端连通供气系统，另一端连通涡轮泵（9）和四极质谱仪（10）；所述反应腔（3）内设置激光加热器（4），反应腔外（3）设置激光发生器（6），所述激光发生器（6）发射的激光通过穿过腔壁的光纤引入到激光加热器（4）并照射在石墨烯生长区域；还包括关联双向反馈系统（11），所述关联双向反馈系统（11）连接在四极质谱仪（10）和供气系统之间，用于接收四极质谱仪（10）采集的信号并提供给供气系统以便于实时调节进气流量达到精确操控石墨烯生长参数。