[发明专利]一种激光冷壁环境控制的石墨烯生长系统

权利要求书

1.一种激光冷壁环境控制的石墨烯生长系统，其特征在于：包括反应腔（3），所述反应腔（3）的一端连通供气系统，另一端连通涡轮泵（9）和四极质谱仪（10）；所述涡轮泵（9）与反应腔（3）之间通过第一柔性真空连接段（7）连通，所述四极质谱仪（10）与第一柔性真空连接段（7）通过第二柔性真空连接段（8）连通；

所述反应腔（3）内设置激光加热器（4），反应腔外（3）设置激光发生器（6），所述激光发生器（6）发射的激光通过穿过腔壁的光纤引入到激光加热器（4）并照射在石墨烯生长区域；所述反应腔（3）的腔壁上设置有真空激光光纤贯通法兰（5），所述光纤穿过真空激光光纤贯通法兰（5）连接激光发生器（6）与激光加热器（4）；

还包括关联双向反馈系统（11），所述关联双向反馈系统（11）连接在四极质谱仪（10）和供气系统之间，用于接收四极质谱仪（10）采集的信号并提供给供气系统以便于实时调节进气流量达到精确操控石墨烯生长参数。

2.根据权利要求1所述的激光冷壁环境控制的石墨烯生长系统，其特征在于：所述供气系统由供气气源（1）与电子流量控制阀（2）、气路组成，所述供气气源（1）由气源钢瓶和减压阀组成，所述电子流量控制阀（2）设置在减压阀与反应腔（3）之间的气路上。

3.根据权利要求1所述的激光冷壁环境控制的石墨烯生长系统，其特征在于：所述关联双向反馈系统（11）与所述电子流量控制阀（2）连接。

4.根据权利要求1所述的激光冷壁环境控制的石墨烯生长系统，其特征在于：所述真空激光光纤贯通法兰（5）为CF真空法兰。

5.根据权利要求1所述的激光冷壁环境控制的石墨烯生长系统，其特征在于：所述激光发生器（6）为红外激光发生器，所述激光加热器（4）为红外激光加热器。