[发明专利]用于去除含有背部晶圆金属化层的光刻胶剥离液在审
| 申请号： | 201710488372.7 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN107085358A | 公开（公告）日： | 2017-08-22 |
| 发明（设计）人： | 刘江华 | 申请（专利权）人： | 昆山欣谷微电子材料有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于去除含有背部晶圆金属化层的光刻胶剥离液，包括有机醇胺、极性有机溶剂、腐蚀抑制剂、有机强还原剂、表面活性剂，本发明所述用于去除含有背部晶圆金属化层的光刻胶剥离液不含有水、氟化物、氧化剂、研磨颗粒。同时，本发明中所含有的有机强还原剂可与氧气或金属氧化物发生氧化还原反应，阻止氧气对金属的腐蚀，该强还原剂还可以与金属腐蚀缓蚀剂产生协同效应，增强金属基底的保护。本发明的光刻胶剥离液能够非常有效的去LED芯片和半导体晶圆上的光刻胶和光刻胶残余物，同时不腐蚀晶圆基底材料，特别是不腐蚀晶圆背部金属化层（Ti/Ni/Ag层或Ti/Ni/Au层），操作窗口较大，使用寿命较长。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 去除 含有 背部 金属化 光刻 剥离 | ||
【主权项】：
用于去除含有背部晶圆金属化层的光刻胶剥离液，包括有机醇胺、极性有机溶剂、腐蚀抑制剂、有机强还原剂、表面活性剂，其特征在于各组份满足以下质量百分比：有机醇胺1‑75%、极性有机溶剂20‑95%、腐蚀抑制剂0.01‑15%、有机强还原剂0.01‑10%、表面活性剂0.01‑10%。
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