[发明专利]用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构在审
| 申请号： | 201710469589.3 | 申请日： | 2017-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN109103747A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 花长煌;朱文慧 | 申请（专利权）人： | 稳懋半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构，包括：一接触金属层、至少一应力平衡层以及一晶粒粘着层。其中接触金属层形成于一化合物半导体晶圆的一下表面；至少一应力平衡层形成于接触金属层的一下表面，其中至少一应力平衡层为至少一导电材料；晶粒粘着层形成于至少一应力平衡层的一下表面，其中晶粒粘着层为一导电材料。本发明通过在接触金属层以及晶粒粘着层之间插入至少一应力平衡层，借此平衡化合物半导体晶圆所受的应力，以减少化合物半导体晶圆的变形。 | ||
| 搜索关键词： | 应力平衡层 半导体晶圆 接触金属层 晶粒 粘着层 减少化合物 导电材料 改良结构 变形的 化合物半导体 平衡化合物 晶圆 变形 | ||
【主权项】：
1.一种用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构，包括：一接触金属层，形成于一化合物半导体晶圆的一下表面；至少一应力平衡层，形成于所述接触金属层的一下表面，其中所述至少一应力平衡层为至少一导电材料；以及一晶粒粘着层，形成于所述至少一应力平衡层的一下表面，其中所述晶粒粘着层为一导电材料；通过在所述接触金属层以及所述晶粒黏着层之间插入所述至少一应力平衡层，借此平衡所述化合物半导体晶圆所受的应力，以减少所述化合物半导体晶圆的变形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于稳懋半导体股份有限公司，未经稳懋半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710469589.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体激光器
- 下一篇：一种垂直腔面发射激光器阵列及其制作方法
