[发明专利]测试腔、HPM传输波导击穿实验装置及研究击穿问题的方法有效

专利信息
申请号: 201710458208.1 申请日: 2017-06-16
公开(公告)号: CN107238784B 公开(公告)日: 2019-06-07
发明(设计)人: 谢佳玲;陈昌华;伍成;常超;曹亦兵 申请(专利权)人: 西北核技术研究所
主分类号: G01R31/24 分类号: G01R31/24;G01R31/25;G01R31/12;H01J23/20;H01J9/42
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 杨引雪
地址: 710024 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 鉴于对HPM源中的强电磁场真空击穿问题研究的必要性和击穿机理研究的困难,本发明提供了一种测试腔、HPM传输波导击穿实验装置以及利用该装置研究击穿问题的方法。其中测试腔包括两个相同的反射腔;反射腔的内腔为圆筒状,反射腔的半径ra和宽度la满足当测试腔内注入TM01模式的电磁波时,反射腔内激励起的电磁波为TM020模式;沿反射腔轴向方向,反射腔内电场分布非对称,反射腔两侧场强幅值差至少为300kV/cm;两个反射腔通过第一直波导相连,两个反射腔之间的距离lc为15‑25mm;两个反射腔的自由端分别连接有长度均大于50mm的第二直波导和第三直波导;第一、第二和第三直波导均为圆波导。
搜索关键词: 测试 hpm 传输 波导 击穿 实验 装置 研究 问题 方法
【主权项】:
1.用于HPM传输波导击穿实验的测试腔,其特征在于:所述测试腔为双微波腔,包括两个相同的反射腔;所述反射腔的内腔为圆筒状结构,反射腔的半径ra和宽度la满足当测试腔内注入TM01模式的电磁波时,反射腔内激励起的电磁波为TM020模式;沿反射腔轴向方向,反射腔内电场分布非对称,反射腔两侧场强幅值差至少为300kV/cm;两个反射腔通过第一直波导相连,两个反射腔之间的距离lc为15‑25mm;两个反射腔的自由端分别连接有长度均大于50mm的第二直波导和第三直波导;所述第一直波导、第二直波导和第三直波导均为圆波导。
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