[发明专利]宽吸收光谱的硫化铅薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201710454647.5 | 申请日： | 2017-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN107315215B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 费广涛;谢秉合;许少辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院;中国科学技术大学 |
| 主分类号： | G02B5/22 | 分类号： | G02B5/22;G02B1/10;C01G21/21 |
| 代理公司： | 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 | 代理人： | 任岗生 |
| 地址： | 230031 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种宽吸收光谱的硫化铅薄膜及其制备方法。薄膜由覆于衬底上的硫化铅晶粒组成，其中，薄膜的厚度为500‑540nm，硫化铅晶粒的粒径为6‑10nm，由粒径6‑10nm的硫化铅晶粒组成的薄膜于450‑2200nm波段呈现吸收峰；方法采用化学浴沉积法，即先将氢氧化钠溶液、硫脲溶液和三乙醇胺依次加入醋酸铅溶液中，得到混合液，再向混合液中加入去离子水，得到反应液，之后，先将衬底置于搅拌下的70‑80℃的反应液中至少2h，再对得到的其表面置有反应物的衬底进行清洗和干燥，制得目的产物。它具有较宽的波段吸收特性，极易于广泛地商业化应用于光电探测、太阳能涂覆吸收层、气敏检测等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 吸收光谱 硫化铅 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种宽吸收光谱的硫化铅薄膜，由覆于衬底上的硫化铅晶粒组成，其特征在于：所述薄膜的厚度为500‑540nm；所述硫化铅晶粒的粒径为6‑10nm；所述由粒径6‑10nm的硫化铅晶粒组成的薄膜于450‑2200nm波段呈现吸收峰。
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