[发明专利]表面等离激元和界面场协同增强型单晶硅电池的制备方法

摘要

本发明属于光伏技术领域，具体为一种表面等离激元和界面场协同增强型单晶硅电池的制备方法。本发明使用热退火诱导法制备镶嵌于二氧化硅上钝化层中的金属颗粒（直径<100nm），在电池烧结温度下蒸镀的金属膜会热收缩成纳米颗粒，有效捕获共振波长在近紫外附近的太阳光波段，产生光生电子空穴对，然后由二氧化硅钝化层对n型硅的界面场效应，将光生电子空穴对拉开，形成额外的光电流，提升电池的光电响应；同时这种贵金属前位嵌入结构的二氧化硅，可以视作优秀的场效应钝化层。

主权项

1.一种表面等离激元和界面场协同增强型单晶硅电池的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：（1）选取两面抛光的，电阻率为1‑10Ωcm的单晶硅衬底；（2）将衬底浸没于氢氟酸溶液中，去除表面的氧化层；（3）取出去氧化层的衬底，用氮气枪将样品表面吹干，进行表面织构化；（4）用去离子水将其表面冲洗干净，进行APM(SC‑1) RCA标准清洗；（5）旋涂磷墨并保护气氛下进行P硅N扩散，用氢氟酸溶液去除死层；（6）在制备完成的PN结背面，用电子束蒸发生长氧化铝背钝化层，用热蒸发生长铝背电极；（7）在制备完成的PN结正面，用电子束蒸发和热蒸发生长包裹表面等离激元的二氧化硅作为上钝化层，用电子束蒸发生长ITO作为上电极；（8）对完成的单晶硅电池进行氮气保护气氛下的烧结处理。