[发明专利]ITO蒸镀靶的制备方法

摘要

本发明提出了一种ITO蒸镀靶的制备方法，包括如下步骤1)首先对原料氧化铟微米粉末和氧化锡纳米粉末进行热处理；2)将热处理后的原料氧化铟微米粉末与氧化锡纳米粉末混合均匀，然后加入添加剂进行湿法球磨；3)将步骤2)处理的掺脂ITO粉，进行恒温恒湿干燥；4)将干燥后的造粒ITO粉放入金属模具中预压成型，再进行冷等静压压制，得到素坯；5)素坯进行脱脂，得到成型体；6)成型体进行烧结即制得ITO靶材。本发明通过制备工艺的改进，实现ITO蒸发材料的结构强化，避免高能电子束轰击时开裂的问题。

主权项

一种ITO蒸镀靶的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)对氧化铟微米粉末和氧化锡纳米粉末进行热处理，热处理温度800～1000℃，热处理时间2～8小时；2)将热处理后的氧化铟微米粉末和氧化锡纳米粉末按质量比9:1混合，在乙醇介质里进行球磨粉碎和混合，球磨时间8～16小时，再掺入添加剂，继续混合4～24小时，使有机物均匀包覆粉体，其中添加剂包括粘接剂、润滑剂和分散剂；3)将步骤2)处理的掺脂ITO粉，进行恒温恒湿干燥，干燥的相对湿度控制在30～90％，干燥时间为50～70小时，干燥温度为30～50℃；4)将干燥后的造粒ITO粉放入金属模具中预压成型，压力为60～140MPa，再进行冷等静压压制，压力为200～350MPa，得到素坯；5)素坯进行脱脂，脱脂温度为400～600℃，脱脂时间为4～12小时，得到成型体；6)成型体进行烧结即制得ITO靶材，烧结温度1000～1300℃，其中在1000～1100℃时保温3～8小时，此时为氧气气氛，压强控制在0.4～1.5atm，然后升温至1200～1300℃继续烧结，保温0.5～3小时，此时烧结气氛为氧气气氛，压强控制在1.0～2.5atm；第二次保温结束后保持压强不变的情况下置换为氮气，然后水冷降温即可。