[发明专利]AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法有效

专利信息
申请号: 201710444799.7 申请日: 2017-06-09
公开(公告)号: CN107093405B 公开(公告)日: 2019-09-24
发明(设计)人: 陈小龙 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G09G3/3233 分类号: G09G3/3233
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。该AMOLED像素驱动电路采用6T2C结构,包括作为驱动薄膜晶体管的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第一电容、第二电容、及有机发光二极管,在电路中接入第一扫描信号、第二扫描信号、第三扫描信号、数据信号电压、电源正电压、及电源负电压,该电路能够有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压,解决由阈值电压漂移导致的流过有机发光二极管的电流不稳定的问题,保证有机发光二极管的发光亮度均匀,改善画面的显示效果。
搜索关键词: amoled 像素 驱动 电路 方法
【主权项】:
1.一种AMOLED像素驱动电路,其特征在于,包括:第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、及有机发光二极管(D1);所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接第一节点(G),源极接入电源负电压(OVSS),漏极电性连接第三薄膜晶体管(T3)的漏极;所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入第一扫描信号(Scan1),源极电性连接第一节点(G),漏极电性连接第一薄膜晶体管(T1)的漏极;所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入第二扫描信号(Scan2),源极电性连接有机发光二极管(D1)的阴极;所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入第三扫描信号(Scan3),源极接入数据信号电压(Vdata),漏极电性连接第二节点(N);所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极接入第二扫描信号(Scan2),源极电性连接有机发光二极管(D1)的阳极,漏极电性连接第二节点(N);所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极接入第一扫描信号(Scan1),源极电性连接有机发光二极管(D1)的阳极,漏极电性连接有机发光二极管(D1)的阴极;所述第一电容(C1)的一端电性连接第一节点(G),另一端电性连接公共接地端(GND);所述第二电容(C2)的一端电性连接第一节点(G),另一端电性连接第二节点(N);所述有机发光二极管(D1)的阳极接入电源正电压(OVDD)。
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