[发明专利]AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法

权利要求书

1.一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、及有机发光二极管(D1)；

所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接第一节点(G)，源极接入电源负电压(OVSS)，漏极电性连接第三薄膜晶体管(T3)的漏极；

所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入第一扫描信号(Scan1)，源极电性连接第一节点(G)，漏极电性连接第一薄膜晶体管(T1)的漏极；

所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入第二扫描信号(Scan2)，源极电性连接有机发光二极管(D1)的阴极；

所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入第三扫描信号(Scan3)，源极接入数据信号电压(Vdata)，漏极电性连接第二节点(N)；

所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极接入第二扫描信号(Scan2)，源极电性连接有机发光二极管(D1)的阳极，漏极电性连接第二节点(N)；

所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极接入第一扫描信号(Scan1)，源极电性连接有机发光二极管(D1)的阳极，漏极电性连接有机发光二极管(D1)的阴极；

所述第一电容(C1)的一端电性连接第一节点(G)，另一端电性连接公共接地端(GND)；

所述第二电容(C2)的一端电性连接第一节点(G)，另一端电性连接第二节点(N)；

所述有机发光二极管(D1)的阳极接入电源正电压(OVDD)。

2.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、及第六薄膜晶体管(T6)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。

3.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一扫描信号(Scan1)、第二扫描信号(Scan2)、及第三扫描信号(Scan3)均通过外部时序控制器产生。

4.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)均为N型薄膜晶体管。

5.如权利要求4所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一扫描信号(Scan1)、第二扫描信号(Scan2)、及第三扫描信号(Scan3)相组合先后对应于初始化阶段(S1)、阈值电压存储阶段(S2)、及发光显示阶段(S3)；

在所述初始化阶段(S1)，所述第一扫描信号(Scan1)为高电位，所述第二扫描信号(Scan2)为高电位，所述第三扫描信号(Scan3)为低电位；

在所述阈值电压存储阶段(S2)，所述第一扫描信号(Scan1)为高电位，所述第二扫描信号(Scan2)为低电位，所述第三扫描信号(Scan3)为高电位；

在所述发光显示阶段(S3)，所述第一扫描信号(Scan1)为低电位，所述第二扫描信号(Scan2)为高电位，所述第三扫描信号(Scan3)为低电位。