[发明专利]高移除率化学机械抛光垫和制造方法在审
| 申请号： | 201710442096.0 | 申请日： | 2017-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN107520742A | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | T·P·维拉姆斯塔德;钱百年;谢瑞;尾形谦次郎;G·C·雅各布;M·W·德格鲁特 | 申请（专利权）人： | 陶氏环球技术有限责任公司;罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司;霓塔哈斯株式会社 |
| 主分类号： | B24B37/24 | 分类号： | B24B37/24 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 钱文宇,陈哲锋 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于抛光半导体衬底的化学机械抛光垫，其含有抛光层，所述抛光层包含有包含以下各者的反应混合物的聚氨基甲酸酯反应产物(i)一种或多种二异氰酸酯、聚异氰酸酯或聚异氰酸酯预聚物，(ii)以(i)和(ii)的总重量计，40到85重量％一种或多种经阻断的二异氰酸酯、聚异氰酸酯或聚异氰酸酯预聚物，其含有阻断剂并且具有80至160℃的去阻断温度，和(iii)一种或多种芳香族二胺固化剂。反应混合物在80℃和101kPa压力下的胶凝时间是2到15分钟；聚氨基甲酸酯反应产物具有2重量％或更低的残余阻断剂含量；并且抛光层呈现0.6到1.2g/cm3的密度。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于抛光选自磁性衬底、光学衬底以及半导体衬底中的至少一个的衬底的化学机械(CMP)抛光垫，其包含适用于抛光所述衬底的抛光层，其是包含以下各者的反应混合物的聚氨基甲酸酯反应产物：(i)一种或多种二异氰酸酯、聚异氰酸酯或聚异氰酸酯预聚物，其中以所述反应混合物中所有二异氰酸酯、多异氰酸酯和聚异氰酸酯预聚物的总重量计，所述预聚物具有8‑16重量％NCO内含物，含量是15到60重量％，(ii)一种或多种经阻断的二异氰酸酯、聚异氰酸酯或聚异氰酸酯预聚物，其含有阻断剂并且具有80到160℃的去阻断温度，以所述反应混合物中所有二异氰酸酯、多异氰酸酯和聚异氰酸酯预聚物的总重量计，其含量是40到85重量％，以及(iii)一种或多种芳香族二胺固化剂，其中所述反应混合物在80℃和101kPa压力下具有2到15分钟的胶凝时间，此外其中，所述聚氨基甲酸酯反应产物具有2重量％或更低的残余阻断剂含量，并且此外其中，所述抛光层呈现0.6到1.2g/cm3的密度。
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