[发明专利]低温制备二维柔性离子敏场效应晶体管的方法

摘要

本发明属于电化学传感器件制造技术领域，具体为一种低温制备二维柔性离子敏场效应晶体管的方法。本发明中，以柔性材料作为衬底，其上沉积图形化金属层作为背电极，在背电极上生长绝缘氧化层，在绝缘介质层上转移二维半导体薄膜，作为器件的导电沟道；在二维半导体薄膜上形成图形化金属层作为该器件的源、漏区；在沟道区域上方沉积功能层材料。本发明利用微波退火工艺低温处理，一方面改善器件各层之间的界面特性，消除测试中由于界面缺陷造成的迟滞、漂移等现象；另一方面，借助功能层材料对微波的吸收作用，与在二维半导体薄膜界面处形成纳米结构的功能层，可应用于不同场景的传感检测。微波退火工艺具有快速，低热预算，制造周期短，成本低廉等优点。

主权项

一种低温制备二维柔性离子敏场效应晶体管的方法，其特征在于，包含以下步骤：提供非柔性衬底，在所述非柔性衬底上涂覆柔性材料前躯体，固化后形成器件柔性衬底；在所述柔性衬底上形成图形化金属层一；在所述图形化金属层一上方形成绝缘介质层；在所述绝缘介质层上方转移二维半导体薄膜作为器件的导电沟道；在所述二维半导体薄膜上方形成图形化金属层二；在所述二维半导体薄膜及图形化金属层二上方沉积修饰层材料；采用微波退火工艺对器件进行低温退火处理；将器件从所述非柔性衬底上分离开，得到柔性衬底上具有特定传感功能的器件。