[发明专利]一种抗强电磁干扰的基准电压源在审
| 申请号： | 201710439110.1 | 申请日： | 2017-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN107102672A | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 冯志波;张翼;邵珠雷 | 申请（专利权）人： | 许昌学院 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 深圳茂达智联知识产权代理事务所(普通合伙)44394 | 代理人： | 胡慧 |
| 地址： | 461000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种抗强电磁干扰的基准电压源，其包括MOS管M1至M12，电容C1至C3，基准电压输出端口Vref；其中，MOS管M10、MOS管M11及MOS管M12连接并构成启动电路，为基准电压源电路提供工作启动电流；MOS管M4至M9，电容C2共同构成偏置补偿电路，保证基准电压源电路正常稳定无失真的工作；电容C1及电容C3用于屏蔽外界强电磁干扰；MOS管M1与MOS管M2以自级联方式连接，并与MOS管M4和MOS管M5共同构成基准电压源核心电路；MOS管M1及MOS管M2工作于零温度系数点，外界温度变化不影响电路输出的稳定性及精准度；MOS管M1的柵源极电压作为基准电压，并通过端口Vref输出；本发明抗干扰能力强，稳定性好，结构简单，功耗极低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电磁 干扰 基准 电压 | ||
【主权项】：
一种抗强电磁干扰的基准电压源，其特征在于，其包括MOS管M1至M12，电容C1至C3，基准电压输出端口Vref；MOS管M10、MOS管M11及MOS管M12连接并构成启动电路；MOS管M4至M9，电容C2共同构成偏置补偿电路；电容C1及电容C3用于屏蔽外界强电磁干扰；MOS管M1与MOS管M2以自级联方式连接，并与MOS管M4和MOS管M5共同构成基准电压源核心电路。
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